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单片机中数据存储介质区别

时间:11-21 来源:互联网 点击:
经常看到,现在的单片机尤其是性能比较强大的单片机同时拥有多种存储介质,必须具备的肯定有两种啦,RAM与ROM;

首先是RAM,?分为两种,静态随机存储器(SRAM)与动态随机存储器(DRAM),顾名思义,动态随机存储器需要不停的刷新,静态功耗比较大,所以单片机中大都采用静态随机存储器,不需要刷新,静态功耗相对来说很低。此外,静态随机存储器相比动态随机存储器也有其缺点,电路复杂集成度低,所以一般容量较小。------另:SRAM的读取速度相当快,由于它的造价高,主要用作计算机中的高速缓存存储器(Cache)。DRAM虽然读取速度较慢,但它的造价低廉,集成度高,宜于作为系统所需的大容量“主存”,所以DRAM主要制造成计算机中的内存条,目前,市面上主要有使用DRAM芯片制成的普通内存条。?

重点来说说ROM,以前的紫外线擦除EPROM略过不谈,重点表一表现在单片机中主要用的EEPROM与FLASH,其实FLASH也是电可擦除,掉电不失的数据存储器,是一种广义上的ROM,为做区分,称其为FLASH。

EEPROM的特点是可以随意访问和修改其中的任何一个字节,可以往每一个bit位中写0或写1,操作比FLASH简单快捷,通常用于存放需要频繁改写的数据。但因其组成电路复杂成本高,所以容量一般都不是很大,?一般都是几十K字节或几百K字节,很少有超过512k字节的。

FLASH也是电可擦除的一种广义上的ROM,分为两种NORFLASH?,与NAND FLASH;

NORFLASH??具备地址线与数据线,可以像RAM一样随机访问每一个字节,但是擦除的时候是按块来擦除的,所以一次简化了电路,数据密度更高,成本也降低了,一般上M的存储器都是FLASH。

NAND FLASH地址线与数据线是复用的,读取按页来读取,擦除按块来擦除,所以电路更简单,数据密度更大了,大容量的一般都是nand flash,而2M到12M的都是NOR FLASH。

?NAND FLASH地址线与数据线是复用的,所以在读取速度上要慢一些,由于nor flash 可以对字节进行操作,所以程序可以直接在nor flash中运行,而不需要将其调入到RAM后执行。而在nand flash 放入操作系统等。

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