NAND设备的软件调试一般分为以下几个步骤：设置相关寄存器、NAND设备的初始化、NAND设备的识别、NAND设备的读擦写（带ECC校验）
NAND设备的操作都是需要通过命令来完成，不同厂家的命令稍有不同，以下一Samsung公司的K9F1208U0M命令表为例介绍NAND设备的软件编写。
表2K9F1208U0MCommand Sets
1)根据2410寄存器定义如下的命令宏
#define NF_CMD(cmd){rNFCMD=cmd;}
#define NF_ADDR(addr){rNFADDR=addr;}
#define NF_nFCE_L(){rNFCONF&=~(1<11);}
#define NF_nFCE_H(){rNFCONF|=(1<11);}
#define NF_RSTECC(){rNFCONF|=(1<12);}
#define NF_RDDATA()(rNFDATA)
#define NF_WRDATA(data) {rNFDATA=data;}
#define NF_WAITRB(){while(!(rNFSTAT&(1<0)));}
//wait tWB and check F_RNB pin.
2)NAND设备的初始化
static void NF_Init(void)//Flash初始化
{
rNFCONF=(1<15)|(1<14)|(1<13)|(1<12)|(1<11)|(TACLS<8)|(TWRPH0<4)|(TWRPH1<0);//设置NAND设备的相关寄存器
NF_Reset();
}
static void NF_Reset(void)//Flash重置
{
int i;
NF_nFCE_L();
NF_CMD(0xFF);//reset command
for(i=0;i<10;i++);//tWB = 100ns
NF_WAITRB();//wait 200~500us;
NF_nFCE_H();
}
3)NAND设备的识别//#define ID_K9F1208U0M0xec76
static U16 NF_CheckId(void)//Id辨别
{
int i;
U16 id;
NF_nFCE_L();
NF_CMD(0x90);
NF_ADDR(0x0);
for(i=0;i<10;i++);//wait tWB(100ns)
id=NF_RDDATA()<8;// Maker code(K9F1208U:0xec)
id|=NF_RDDATA();// Devide code(K9F1208U:0x76)
NF_nFCE_H();
return id;
}
4)NAND的擦操作
static int NF_EraseBlock(U32 block)
{
U32 blockPage=(block<5);
int i;
NF_nFCE_L();
NF_CMD(0x60[q1]);// Erase one block 1st command
NF_ADDR(blockPage&0xff);// Page number="0"
NF_ADDR((blockPage>>8)&0xff);
NF_ADDR((blockPage>>16)&0xff);
NF_CMD(0xd0[q2]);// Erase one blcok 2nd command
for(i=0;i<10;i++);//wait tWB(100ns)//??????
NF_WAITRB();// Wait tBERS max 3ms.
NF_CMD(0x70);//Read status command
if (NF_RDDATA()&0x1)// Erase error
{
NF_nFCE_H();
Uart_Printf("[ERASE_ERROR:block#=%d]\n",block);
return 0;
}
else
{
NF_nFCE_H();
return 1;
}
}
5)NAND的读操作
static int NF_ReadPage(U32 block,U32 page,U8 *buffer)//读Flash
{
int i;
unsigned int blockPage;
U8 ecc0,ecc1,ecc2;
U8 *bufPt=buffer;
U8 se[16];
page=page&0x1f;//32页
blockPage=(block<5)+page;//1Bolck包含32页
NF_RSTECC();// Initialize ECC
NF_nFCE_L();
NF_CMD(0x00);// Read command
NF_ADDR(0);// Column = 0
NF_ADDR(blockPage&0xff);//
NF_ADDR((blockPage>>8)&0xff);// Block & Page num.
NF_ADDR((blockPage>>16)&0xff);//
for(i=0;i<10;i++);//wait tWB(100ns)
NF_WAITRB();// Wait tR(max 12us)
for(i=0;i<512;i++)
{
*bufPt++=NF_RDDATA();// Read one page
}
ecc0=rNFECC0;//利用2410自带的硬件ECC校验
ecc1=rNFECC1;
ecc2=rNFECC2;
for(i=0;i<16;i++)
{
se[i]=NF_RDDATA();// Read spare array
//读页内冗余的16B
}
NF_nFCE_H();
if(ecc0==se[0] && ecc1==se[1] && ecc2==se[2])//未知使用哪一种软件规范？
{//比较数据结果是否正确
Uart_Printf("[ECC OK:%x,%x,%x]\n",se[0],se[1],se[2]);
return 1;
}
else
{
Uart_Printf("[ECC ERROR(RD):read:%x,%x,%x, reg:%x,%x,%x]\n",
se[0],se[1],se[2],ecc0,ecc1,ecc2);
return 0;
}
}
6)NAND的写操作
static int NF_WritePage(U32 block,U32 page,U8 *buffer)//写Flash
{
int i;
U32 blockPage=(block<5)+page;
U8 *bufPt=buffer;
NF_RSTECC();// Initialize ECC
NF_nFCE_L();
NF_CMD(0x0[q4]);//Read Mode 1
NF_CMD(0x80);// Write 1st command,数据输入
NF_ADDR(0);// Column 0
NF_ADDR(blockPage&0xff);
NF_ADDR((blockPage>>8)&0xff);// Block & page num.
NF_ADDR((blockPage>>16)&0xff);
for(i=0;i<512;i++)
{
NF_WRDATA(*bufPt++);// Write one page to NFM from buffer
}
seBuf[0]=rNFECC0;
seBuf[1]=rNFECC1;
seBuf[2]=rNFECC2;
seBuf[5]=0xff;// Marking good block
for(i=0;i<16;i++)
{
NF_WRDATA(seBuf[i]);// Write spare array(ECC and Mark)
}
NF_CMD(0x10);// Write 2nd command
for(i=0;i<10;i++);//tWB = 100ns.
NF_WAITRB();//wait tPROG 200~500us;
NF_CMD(0x70);// Read status command
for(i=0;i<3;i++);//twhr=60ns
if (NF_RDDATA()&0x1)// Page write error
{
NF_nFCE_H();
Uart_Printf("[PROGRAM_ERROR:block#=%d]\n",block);
return 0;
}
else
{
NF_nFCE_H();
#if (WRITEVERIFY==1)
//return NF_VerifyPage(block,page,pPage);
#else
return 1;
#endif
}
}
以下讨论一下NAND设备上所支持的文件系统，大概现在有以下几种：
A.JFFS2（没有坏块处理，支持大容量存储的时候需要消耗大量的内存，大量的随机访问降低了NAND设备的读取效率）和YAFFS（速度快，但不支持文件的压缩和解压）
