NAND FLASH驱动程序

s3c_mtd->priv = s3c_nand;

nand_scan(s3c_mtd, 1); // 识别NAND FLASH, 构造mtd_info ,最大芯片个数1

// 5. add_mtd_partitions

add_mtd_partitions(s3c_mtd, s3c_nand_parts, 4); //分区数4

//add_mtd_device(s3c_mtd); //整个nand flash 作为一个分区使用

return 0;

}

static void s3c_nand_exit(void)

{

del_mtd_partitions(s3c_mtd);

kfree(s3c_mtd);

iounmap(s3c_nand_regs);

kfree(s3c_nand);

}

module_init(s3c_nand_init);

module_exit(s3c_nand_exit);

MODULE_LICENSE("GPL");

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NAND FLASH是一个存储芯片

那么: 这样的操作很合理"读地址A的数据，把数据B写到地址A"

问1. 原理图上NAND FLASH和S3C2440之间只有数据线，

怎么传输地址？

答1．在DATA0～DATA7上既传输数据，又传输地址

当ALE为高电平时传输的是地址，

问2. 从NAND FLASH芯片手册可知，要操作NAND FLASH需要先发出命令

怎么传入命令？

答2．在DATA0～DATA7上既传输数据，又传输地址，也传输命令

当ALE为高电平时传输的是地址，

当CLE为高电平时传输的是命令

当ALE和CLE都为低电平时传输的是数据

问3. 数据线既接到NAND FLASH，也接到NOR FLASH，还接到SDRAM、DM9000等等

那么怎么避免干扰？

答3. 这些设备，要访问之必须"选中"，

没有选中的芯片不会工作，相当于没接一样

问4. 假设烧写NAND FLASH，把命令、地址、数据发给它之后，

NAND FLASH肯定不可能瞬间完成烧写的，

怎么判断烧写完成？

答4. 通过状态引脚RnB来判断：它为高电平表示就绪，它为低电平表示正忙

问5. 怎么操作NAND FLASH呢？

答5. 根据NAND FLASH的芯片手册，一般的过程是：

发出命令

发出地址

发出数据/读数据

NAND FLASH S3C2440

发命令 选中芯片

CLE设为高电平 NFCMMD=命令值

在DATA0~DATA7上输出命令值

发出一个写脉冲

发地址 选中芯片 NFADDR=地址值

ALE设为高电平

在DATA0~DATA7上输出地址值

发出一个写脉冲

发数据 选中芯片 NFDATA=数据值

ALE,CLE设为低电平

在DATA0~DATA7上输出数据值

发出一个写脉冲

读数据 选中芯片 val=NFDATA

发出读脉冲

读DATA0~DATA7的数据

用UBOOT来体验NAND FLASH的操作：

1. 读ID

S3C2440 u-boot

选中 NFCONT的bit1设为0 md.l 0x4E000004 1; mw.l 0x4E000004 1

发出命令0x90 NFCMMD=0x90 mw.b 0x4E000008 0x90

发出地址0x00 NFADDR=0x00 mw.b 0x4E00000C 0x00

读数据得到0xEC val=NFDATA md.b 0x4E000010 1

读数据得到device code val=NFDATA md.b 0x4E000010 1

0xda

退出读ID的状态 NFCMMD=0xff mw.b 0x4E000008 0xff

2. 读内容: 读0地址的数据

使用UBOOT命令:

nand dump 0

Page 00000000 dump:

17 00 00 ea 14 f0 9f e5 14 f0 9f e5 14 f0 9f e5

S3C2440 u-boot

选中 NFCONT的bit1设为0 md.l 0x4E000004 1; mw.l 0x4E000004 1

发出命令0x00 NFCMMD=0x00 mw.b 0x4E000008 0x00

发出地址0x00 NFADDR=0x00 mw.b 0x4E00000C 0x00

发出地址0x00 NFADDR=0x00 mw.b 0x4E00000C 0x00

发出地址0x00 NFADDR=0x00 mw.b 0x4E00000C 0x00

发出地址0x00 NFADDR=0x00 mw.b 0x4E00000C 0x00

发出地址0x00 NFADDR=0x00 mw.b 0x4E00000C 0x00

发出命令0x30 NFCMMD=0x30 mw.b 0x4E000008 0x30

读数据得到0x17 val=NFDATA md.b 0x4E000010 1

读数据得到0x00 val=NFDATA md.b 0x4E000010 1

读数据得到0x00 val=NFDATA md.b 0x4E000010 1

读数据得到0xea val=NFDATA md.b 0x4E000010 1

退出读状态 NFCMMD=0xff mw.b 0x4E000008 0xff

NAND FLASH驱动程序层次

看内核启动信息

S3C24XX NAND Driver, (c) 2004 Simtec Electronics

s3c2440-nand s3c2440-nand: Tacls=3, 30ns Twrph0=7 70ns, Twrph1=3 30ns

NAND device: Manufacturer ID: 0xec, Chip ID: 0xda (Samsung NAND 256MiB 3,3V 8-bit)

Scanning device for bad blocks

Bad eraseblock 256 at 0x02000000

Bad eraseblock 257 at 0x02020000