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S3C2410扩展NandFlash

时间:11-25 来源:互联网 点击:
1. NandFlash接口电路




2. NandFlash接口信号
*NandFlash接口信号较少;
*数据宽度只有8Bit,没有地址总线。地址和数据总线复用,串行读取;

信号名称信号描述
IO[7..0]数据总线
CE#片选信号(Chip Select),低电平有效
WE#写有效(Write Enable),低电平表示当前总线操作是写操作
RE#读有效(Read Enable),低电平表示当前总线操作是读操作
CLE命令锁存(Command Latch Enable)信号,写操作时给出此信号表示写命令
ALE地址/数据锁存(Address Latch Enable)信号,写操作时给出此信号表示写地址或数据
WP#写保护(Write Protect)信号
R/B忙(Read/Busy)信号

3. NandFlash地址结构
*NandFlash设备的存储容量是以页(Page)和块(Block)为单位的。
*Page=528Byte(512Byte用于存放数据,其余16Byte用于存放其他信息,如块好坏的标记、块的逻辑地址、页内数据的ECC校验和等)。
*Block=32Page;
*容量为64MB的NandFlash存储结构为:512Byte×32Page×4096Block;
*NandFlash以页为单位进行读和编程(写)操作,一页为512Byte;以块为单位进行擦除操作,一块为512Byte*32page=16KB;
*对于64MB的NAND设备,需要26根地址线,由于NAND设备数据总线宽度是8位的,因此必须经过4个时钟周期才能把全部地址信息接收下来;
I/O7I/O6I/O5I/O4I/O3I/O2I/O1I/O0
第一个周期A7A6A5A4A3A2A1A0
第二个周期A15A14A13A12A11A10A9A8
第三个周期A23A22A21A20A19A18A17A16
第四个周期A25A24

*可以这么说,第一个时钟周期给出的是目标地址在一个page内的偏移量,而后三个时钟周期给出的是页地址。
*由于一个页内有512Byte,需要9bit的地址寻址,而第一个时钟周期只给出了低8bit,最高位A8由不同的读命令(Read Mode2)来区分的。
4.NandFlash的命令


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