最近制作了一个锁相环，用于产生大概65MHZ~73MHZ的振荡频率。由于MC12022的最高输入频率可以达到1GHZ，而MC1648的最高振荡频率是225MHZ，所以本锁相环修改参数最高可以达到225MHZ的输出，当然也可以另外自己使用晶体管搭建振荡频率更高的VCO。有了这个基础，以后在制作无线电发射机，接收机的时候，就可以选择任意频率，稳定性会比LC振荡器高。
制作前必须查看各个芯片的datasheet，要对芯片有基本的理解。以下所列出的电路图的参数都是实际制作的参数，一般来说，不需要改动任何的参数，直接做出来就可以工作，VCO里面电感是自己绕制的，没有具体的电感参数。下面是各个部分的电路：
PLL：锁相环
LPF：环路滤波器/低通滤波器
PD：鉴相器/相位比较器
VCO：压控振荡器
GDB:增益带宽积
1.供电电源
做稳定性高的东西，电源的稳定性就很重要，这个时候，使用线性稳压电源会比较合适，因为其纹波比开关电源小。因此这里采用了LM7805和LM7812稳压芯片（便宜好用）。12V的电源只用于LPF，提高LPF的供电电压，可以扩大PLL的频率变化范围；其余都采用5V供电。
2.MC145152外围电路（包含PD、N,A计数器，基准振荡频率）
右边K6，K7，K8是拨码开关，由于A0~A5，N0~N9这些输入端在芯片的内部已经有上拉电阻了，所以拨码开关断开的情况下，A0~A5，N0~N9这些管脚都是输入高电平。
Y2是普通无源晶振，我这里采用了10.245MHZ，RA0~RA2（内部上拉）是基准频率的分频器，我这里是RA[0:2]= 101；等效于对Y2进行1024分频，于是基准频率f1 = 10.245/1024≈10KHZ,也可以将C32换成可调电容，将晶振的振荡频率校准到10.240MHZ下，这样就可以得到准确的10KHZ基准频率。这个基准频率决定了PLL的步进频率。
Fr，Fv是输入频率和基准频率的相位误差信号，输出到LPF。它们的动作特征可以查看datasheet。
C38电容采用独石电容（或者云母电容），其他电容采用普通瓷片电容即可。
L4是红色LED，采用R17=1KΩ的电阻，是嫌LED太亮了，刺眼。
3.MC12022外围电路（前置分频器）
MC12022是前置分频器，配合MC145152的MC引脚使用。具体特性参考datasheet。
C47，C48采用独石电容（或者云母电容），其余电容采用普通瓷片电容即可。
4.MC1648外围电路（VCO）
C54，C55采用独石电容，C53采用可调的瓷介电容（5pF~50pF），其余电容采用普通瓷片电容即可。
R30是用于调整MC1648的OUT管脚输出电平的幅度，一般规律是：幅度越大，失真越大；幅度越小，失真越小。由于OUT管脚输出到MC12022，为了让MC12022能够正常识别，这里OUT管脚起码要有几百mV的幅度。
D5，D6，D7，D8是变容二极管，我使用了FV1043，变容范围：6pF~27Pf。可以采用其他变容二极管代替，注意极性别接错了（接错也是可以振荡的，但不能锁定）。它们采用头对头的连接方式，是对一些不稳定因素起到对消的作用（具体作用不知道在哪里看过，忘了）。而D5，D6并联，D7，D8并联，是用于增大变容的范围，因此可以多并联几个。其他连接方式，可以参考datasheet。
L6是空心电感线圈（直径3.5mm，圈数：12，铜线直径：0.6mm），记得采用包漆铜线绕制。这里采用空心线圈有几个原因：1.空心线圈的Q值比带磁心的线圈高。2.手头没有性能明确的磁心（性能不明确的元件不用，磁心材料种类太多了，不同材料应用的频带不同，最好别乱用，况且高频用的磁心真心不容易买到）。
R28，R29是为了测定某项参数而设定的，实际工作的PLL，需要把它们去掉。
注意：与TANK和BIAS管脚连接的元器件，布线尽量短粗。C51，C52去耦电容也要尽可能靠近VCC，这个对于其他芯片的外围电路也一样。
5.环路低通滤波器（LPF）
C42，C43去耦电容采用普通瓷片电容即可，其余电容采用独石电容。
CA3140是一款性能优异的运放，这里的运放一定要精心挑选，推荐两款：CA3140，MC33171。选择这个运放有几个很重要的性能要求：1.单电源供电。2.GDB大于1MHZ。3.电压转换速率要快。4.输入阻抗大。满足条件1，2，3的运放，寥寥无几，相当难找。
整个PLL电路中，环路滤波器的设计是关键所在，影响整个PLL系统的特性，例如：锁定速度，相位噪声，寄生频率，反馈的稳定性。电阻电容的参数必须通过理论计算，实际调整来确定。
至于电路的调试过程，LPF的参数计算，下回分解吧。吃饭去鸟~~~~
最后，送上的原版电路图截图。
