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麦克斯韦方程组的简单解释

时间:06-12 来源:互联网 点击:

带电球的电场,无限大均匀带电面的电场以及无限长均匀带电圆柱的电场,可直接用高斯定理计算它们的电场强度。

电位移对任一面积的能量为电通量,因而电位移亦称电通密度。

(2)描述了变化的磁场激发电场的规律。   

磁场是如何产生电场的法拉第电磁感应定律。

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(静电场的环路定理)

在没有自由电荷的空间,由变化磁场激发的涡旋电场的电场线是一系列的闭合曲线。

在一般情况下,电场可以是库仑电场也可以是变化磁场激发的感应电场,而感应电场是涡旋场,它的电位移线是闭合的,对封闭曲面的通量无贡献。  

麦克斯韦提出的涡旋电场的概念,揭示出变化的磁场可以在空间激发电场,并通过法拉第电磁感应定律得出了二者的关系,上式表明,任何随时间而变化的磁场,都是和涡旋电场联系在一起的。

(3)描述了磁场的性质。

论述了磁单极子的不存在的高斯磁定律 

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(稳恒磁场的高斯定理)

在磁场中,由于自然界中没有单独的磁极存在,N极和S极是不能分离的,磁感线都是无头无尾的闭合线,所以通过任何闭合面的磁通量必等于零。

由于磁力线总是闭合曲线,因此任何一条进入一个闭合曲面的磁力线必定会从曲面内部出来,否则这条磁力线就不会闭合起来了。如果对于一个闭合曲面,定义向外为正法线的指向,则进入曲面的磁通量为负,出来的磁通量为正,那么就可以得到通过一个闭合曲面的总磁通量为0。

这个规律类似于电场中的高斯定理,因此也称为高斯定理。

(4)描述了变化的电场激发磁场的规律。   

电流和变化的电场是怎样产生磁场的麦克斯韦-安培定律。

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(磁场的安培环路定理)

变化的电场产生的磁场和传导电流产生的磁场相同,都是涡旋状的场,磁感线是闭合线。因此,磁场的高斯定理仍适用。

在稳恒磁场中,磁感强度H沿任何闭合路径的线积分,等于这闭合路径所包围的各个电流之代数和。

磁场可以由传导电流激发,也可以由变化电场的位移电流所激发,它们的磁场都是涡旋场,磁感应线都是闭合线,对封闭曲面的通量无贡献。 

麦克斯韦提出的位移电流的概念,揭示出变化的电场可以在空间激发磁场,并通过全电流概念的引入,得到了一般形式下的安培环路定理在真空或介质中的表示形式,上式表明,任何随时间而变化的电场,都是和磁场联系在一起的。

合体:

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式中H为磁场强度,D为电通量密度,E为电场强度,B为磁通密度。

在采用其他单位制时,方程中有些项将出现一常数因子,如光速c等。

上面四个方程组成:

描述电荷如何产生电场的高斯定律、

描述时变磁场如何产生电场的法拉第感应定律、

论述磁单极子不存在的高斯磁定律、

描述电流和时变电场怎样产生磁场的麦克斯韦-安培定律。

综合上述可知,变化的电场和变化的磁场彼此不是孤立的,它们永远密切地联系在一起,相互激发,组成一个统一的电磁场的整体。

这就是麦克斯韦电磁场理论的基本概念。

麦克斯韦方程组的积分形式反映了空间某区域的电磁场量(D、E、B、H)和场源(电荷q、电流I)之间的关系。

麦克斯韦方程组微分形式:

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式中J为电流密度,,ρ为电荷密度。

H为磁场强度,D为电通量密度,E为电场强度,B为磁通密度。

上图分别表示为:

(1)磁场强度的旋度(全电流定律)等于该点处传导电流密度 与位移电流密度 的矢量和;

(2)电场强度的旋度(法拉第电磁感应定律)等于该点处磁感强度变化率的负值;

(3)磁感强度的散度处处等于零 (磁通连续性原理) 。

(4)电位移的散度等于该点处自由电荷的体密度 (高斯定理) 。

在电磁场的实际应用中,经常要知道空间逐点的电磁场量和电荷、电流之间的关系。

从数学形式上,就是将麦克斯韦方程组的积分形式化为微分形式。

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上面的微分形式分别表示:

(1)电位移的散度等于该点处自由电荷的体密度 (高斯定理) 。

(2)磁感强度的散度处处等于零 (磁通连续性原理) 。

(3)电场强度的旋度(法拉第电磁感应定律)等于该点处磁感强度变化率的负值;

(4)磁场强度的旋度(全电流定律)等于该点处传导电流密度 与位移电流密度 的矢量和;

利用矢量分析方法,可得:

(1)在不同的惯性参照系中,麦克斯韦方程有同样的形式。   

(2) 应用麦克斯韦方程组解决实际问题,还要考虑介质对电磁场的影响。

例如在各向同性介质中,电磁场量与介质特性量有下列关系: 

在非均匀介质中,还要考虑电磁场量在界面上的边值关系。

在利用t=0时场

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