PIC16C5X的低功耗模式

电源下降保护电路

在实际应用中,有时需要考虑电源电压VDD的下降情况。电源下降保护电路如图1所示。在这个电路中,当VDD≤VD+0.7V时,则会产生复位,原理为稳压管的稳压值VD和晶体管Q1的e、b正向压降之和大于VDD,稳压管Vz截止,晶体管Q1截止,MCLR端为低电平,单片机处于复位状态。

图2是另一种保护电路,电路中用电阻代替了稳压管,价格较低,但效果较差,当VDD≤(R1+R2)×0.7/R1时,晶体管截止,MCLR为低电平,单片机复位。 [2].省电SLEEP 执行SLEEP指令,进入省电模式,此时WDT被清“0”,然后重新开始计数,f3寄存器“PD”位被清“0”,“TO”位被置“1”,振荡驱动器停止工作,所有I/O保持原来状态,这种工作模式功耗最低。 为使单片机功耗最小,进入SLEEP前,应使所有I/O口处于低电平或高电平状态,处于高阻状态的I/O脚应由外部设置成高或低电平（加上拉或下拉）,以避免浮空输入所产生的开关电流。RTCC的输入端同样应处于VDD或VSS,MCLR引脚需处于高电平,以使电流最小,功耗最低。 从SLEEP模式唤醒的过程如下：单片机可被WDT溢出或MCLR引脚上加一个低电平脉冲唤醒,在两种唤醒方式中,普通程序恢复执行前,单片机停留在RESET状态,持续一个振荡启动定时（OST）周期。标志寄存器STATUS的“PD”位,在上电时置“1”,会被“SLEEP”指令清“0”,此特征可用于检测单片机是上电复位还是从省电方式唤醒复位。标志寄存器的TO位,可用于判断唤醒是由外部MCLR信号还是WDT溢出引起的。 注意的是在使用外接RC的上电复位电路时,不推荐用WDT唤醒省电模式,因为WDT溢出时产生RESET通常不会使外电容放电,且单片机只会由复位定时器的周期进行复位。 [3].配置位EPROM 配置位EPROM（configuration EPROM）有4个EPROM熔丝决定,这些位有别于程序存储器的EPROM普通位。 两个熔丝用于选择振荡器类型,另两个一个是WDT允许位,一个程序保密位。 · 用户识别码（Customer ID Code） PIC16C5X系列有16个特别的EPROM位,它们不是程序存储器单元,这些位用于存储用户识别码、校验码或其它信息数据,这些单元不能在普通程序中访问。 · 代码保护 当选择将芯片的程序保密位熔丝烧断（写入0）后,程序存储区ROM中的程序代码（12位宽）的高8位将被保护。此时读出的数据将是“00000000XXXX”形式,高8位全部被“0”取代,无法再解释这些代码的含义,也即不能进行代码复制,但单片机的功能并不受影响,代码程序仍然可正确执行。从而保护自己的著作权。 当程序被保护时,从040H开始及以上存储单元的内容将受保护而不能编程,程序存储器地址000H—03FH的电源、用户ID码单元和配置位熔丝仍可编程。