AVR内部EEPROM擦写次数测试程序

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/* 广州天河双龙电子公司北京分公司 */
/* 测试EEPROM读写次数 */
/* 2004年12月21日 */
/* 目标MCU:MEGA48 晶振:内部RC(INT) 8MHZ */
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#include "iom48v.h"
#include "macros.h"
#define fosc 8000000 //内部8MHZ晶振
#define baud 19200 //波特率
unsigned CHAR eep_r;//EEPROM读出的数据
unsigned CHAR N;//EEPROM读写次数第一部分
unsigned CHAR kk;//EEPROM读写次数第二部分
unsigned int count;//EEPROM读写次数第三部分

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串口输出函数，用于发送记数结果
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void putCHAR(unsigned CHAR c)
{
while (!(UCSR0A&(1UDR0=c;//数据寄存器
}

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串口初始化
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void uart_init(void)
{
UCSR0B=(1UBRR0L=(fosc/(16*baud)-1)%256;//对波特率寄存器预置数
UBRR0H=(fosc/(16*baud)-1)/256;
UCSR0C=(0}

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主程序
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void main(void)
{
PORTD=0xFF; //开放D口
DDRD=0xFF;
PORTB=0xFF;//开放B口
DDRB=0xFF;
uart_init();
CLI(); //关中断，以免干涉EEPROM的写入
while(1)
{
EEPROM_write(0x00FD,0X5A);//写地址和数据，可修改
eep_r=EEPROM_read(0x00FD);
comp();
EEPROM_write(0x00FD,0XA5);//写地址和数据，可修改
eep_r=EEPROM_read(0x00FD);
comp();
}
}

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对读出的数据进行比较 正确……LED显示R，并从串口发送数据kk
错误……LED显示F，并从串口发送数据kk，count

读写总次数为：(N*256+kk)*4000+count
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void comp(void)
{
unsigned CHAR eep_old,count_high,count_low;
eep_old = eep_r&0x0f; //取EEPROM的低4位
eep_r = eep_r >> 4; //取EEPROM的高4位
if(eep_old+eep_r != 0x0f ) //低4位加高4位，结果和F比较
{
count_high =count >> 8;
count_low=count&0xff;
putCHAR(N);//输出最终记数值
putCHAR(kk); //输出最终记数值
putCHAR(count_high); //输出此时的已读写次数，总数为：(N*256+kk)*4000+count（次）
putCHAR(count_low);
PORTB=0x8E; //点亮LED
PORTD=0xEF;
while(1); //读取数据，发生一次错误后，程序在此处挂起。
}
else
{
count++; //每读写一次，count累加1
if(count>=4000) //每读写4000次，KK累加1
{ //并从串口送出KK
count=count-4000;
kk++;
if(kk>=255)
{
N++;
}
putCHAR(N);
putCHAR(kk);
} //点亮LED
PORTB=0x88;
PORTD=0x7F;
}
}

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EEPROM写操作
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void EEPROM_write(unsigned int uiAddress, unsigned CHAR ucData)
{
while(EECR & (1EEAR = uiAddress;
EEDR = ucData;
EECR |= (1EECR |= (1}

/********************************************
EEPROM读操作
*******************************************/
unsigned CHAR EEPROM_read(unsigned int uiAddress)
{
while(EECR & (1EEAR = uiAddress;
EECR |= (1return EEDR;
}