TI的锂离子电池充电保护集成电路UCC3957

四、UCC3957的工作原理与典型应用电路

4.1 UCC3957的工作原理

UCC3957可以对3节或4节锂电池组提供防止电池过充电、过放电及过电流充、放电等故障的全面保护功能，它对电池组内的每一节电池电压采样并与内部的精密基准电压进行比较，当任一节电池处于过电压或欠电压状态时，UCC3957就会采取适当的措施防止电池进一步充电或放电。UCC3957外部接有2个独立的P沟道MOSFET晶体管，分别控制电池的充电和放电电流。

下面以图4为例，介绍其采用UCC3957的4节锂电池充电保护电路特点。

1．电池组的连接
电池组与UCC3957连接要注意它的顺序。电池组的低电位端连接到引脚7AN4，高电位端连接到引脚VDD，每两节电池的连接点按相应顺序连接到引脚4AN1、5AN2、6AN3。

2．选择3或4节电池充电工作状态
当电池组为3节电池时，引脚2CLCNT应连到引脚16DVDD，同时将引脚6AN3与引脚7AN4连到一起，当电池组为4节电池时，引脚2CLCNT接地（即连到引脚7AN4），AN3引脚接至电池组最下面一只电池的正极。

3．欠电压保护
当检测到任一节电池处于过放电状态时（低于欠电压阀值电位），状态检测器同时关断2只MOSFET晶体管，使UCC3957进入休眠工作模式，此时UCC3957的耗电仅为3.5μA，只有当引脚3WU的电压升到1VDD后，UCC3957退出休眠工作模式。

4．电池充电
当充电器接入充电电源器时，只要引脚9CHGEN的电压被拉到16DVDD，充电FET晶体管VT1导通，电池组充电。但是如果引脚9CHGEN开路或连到引脚7AN4，则充电FET晶体管VT1关断。充电期间，如果UCC3957处于休眠工作模式，则放电FET晶体管VT2仍然关断，充电电流流过放电FET晶体管VT2的体二极管；直到每节电池的电压高于欠电压阀值电压，则放电FET晶体管VT2导通。休眠工作期间，充电FET晶体管VT1处于周期性的导通和关断方式，导通时间为7ms，关断时间为10ms。

5．电池连接不正常保护
UCC3957具有被充电电池盒内电池连接不正常的保护功能。如果和电池连接的引脚4AN1、5AN2或6AN3连接不正常、断连接，UCC3957可以检测到并可预防电池组过充压。

6．过电压保护与智能放电特性
如果某一电池充电电压超过正常过充电阀值电位，则充电FET晶体管VT1关断，以防止电池过充电。关断一直保持到该电池电压降低到过充电阀值电位。在大多数保护电路设计中，在该过电压保护带（在正常值∽过充电阀值之间，或反之，在过充电阀值∽正常值之间），充电FET晶体管VT1一直处于保护的完全关断工作状态，此时放电电流必须通过充电FET晶体管VT1的体二极管，该二极管的压降高达1V，从而在充电FET晶体管VT1内产生极大的功耗，消耗宝贵的电池功率。

UCC3957具有独到的智能放电特性，它可使充电FET晶体管VT1对放电电流导通（仅对放电而言）而仍然处于过电压回差范围之内。这样就大大减少了充电FET晶体管VT1上的功耗。这一措施是通过采样流经电流检测电阻RSENES上的电压降来完成的，如果这个电压降超过15mV(0.025Ω电流检测电阻对应0.6A的放电电流)，则充电FET晶体管VT1再次导通。此例中，若20mW的FET晶体管，其体二极管电压降为1V，对应为1A负载，则VT1的功耗由1W降至0.02W。

7．过电流保护
UCC3957采用二级过电流保护模式保护电池组的过充电电流和电池组短路，当电流检测电阻RSENSE（接在引脚AN4与引脚BATLO之间）上的电压降超过某一阀值电位时，过电流保护进入打嗝儿保护工作模式。在这一工作模式时，放电FET晶体管VT2周期性地关断与导通，直到故障排除。一旦故障排除，UCC3957自动恢复正常工作。

为了适应大的容性负载，UCC3957有两个过电流阀值电压，对应每一阀值电压可以设定不同的延迟时间。这种二级过电流保护既可对短路提供快速的响应，又可使电池组承受一定的浪涌电流。这样可防止由于滤波电容较大而引起不必要的过电流误保护动作。

第一级过电流保护阀值电位为150mV，对应0.025Ω的电流检测电阻，过电流阀值为6A。如果峰值放电电流持续时间超过该值所设定的时间（由接在CDLY1和地之间的电容设定），UCC3957进入打嗝儿保护工作模式。打嗝儿保护工作模式时的占空比约为6%，即关断时间大约是导通时间的17倍。

第二级过电流阀值电位为375mV，对应0.025Ω电流检测电阻，过电流阀值为15A。如果峰值放电电流超过该电位值所设定的时间（由接在CCDLY2和地之间的电容设定），UCC3957进入打嗝儿保护工作模式，并且占空比一般小于1%。而关断时间tOFF仍然由接在CCDLY1与地之间的电容决定。这一技术大大地降低了短路时FET晶体管VT2上的功耗，从而降低了对FET晶体管VT2的使用要求。

当CDLY1=0.022μF