微波EDA网,见证研发工程师的成长!
首页 > 硬件设计 > 电源设计 > 浅谈如何提升轻载能效及降低待机功耗

浅谈如何提升轻载能效及降低待机功耗

时间:09-07 来源:互联网 点击:

随着家用电器、视听产品的普及,办公自动化的广泛应用和网络化的不断发展,越来越多的产品具有了待机功能,以随时满足使用者的要求。这些新产品、新技术在极大地方便我们生活的同时,也造成了大量的能源浪费。,“能源之星”等规范标准在致力于提升这些设备所用电源工作能效的同时,也注重提升轻载能效及降低待机能耗。

对于一个反激式开关电源而言,我们可以通过以下几个方面来提升轻载效率和待机功耗:

1.开关MOSFET的损耗通常可以分为导通损耗、开关损耗、驱动损耗等。前两种是MOSFET的主要损耗。在轻载和空载情况下,原边电流的峰值和有效值都会明显降低,这时候的开关损耗是主导因素。而开关损耗与Vds电压、开关频率有着直接的关系。因此,减少MOSFET在轻载和空载时的损耗,可以通过使用QRC 模式的反激芯片和具有降频、间歇工作方式的芯片来实现;

2.使用具有HV启动功能的芯片,这样可以避免启动电阻产生的损耗。另外,要选择合适的X电容泄放电阻;

3.对反馈线路的优化。选择CTR高的光耦、低工作电流的基准431以及较大的输出电压取样电阻都可以一定程度的降低待机功耗。当然,同时也要考虑到对Dynamic的影响;

4.对吸收线路的优化。传统的RCD嵌位线路会造成比较大的损耗,相对而言,使用TVS嵌位也可以提升轻载能效和待机功耗;
此外,使用ZFB比较大的芯片,以及优化变压器的设计也会起到一定的积极作用。

总之,提升反激式开关电源的轻载能效及降低待机功耗,需要对反激式拓扑线路做详细的分析,抓住每一个损耗的源头,一点一滴的累积并提高,才能最大限度的满足日益严格的需求。

Copyright © 2017-2020 微波EDA网 版权所有

网站地图

Top