太阳能光伏术语和名词解释

个浓度层。

Diode, 二极管, 电流只能朝一个方向流动。 太阳能电池其实理论上就是一个大面积, 被照射的二极管, I/U曲线特性。

Donator, 捐赠者, 在半导体中可给出一个电子。 对于硅, 原则上磷可作为捐赠者。

Duennschichtsolarzelle, 一种不用晶片, 而是才用超薄技术生产出来的超薄太阳能电池板, 其材料为a-Si:H, CdTe, CIS, GaAs。

Duennschichttechnik, 生产超薄太阳能电池板的技术, 直接从便宜的基层材料制作, 比如玻璃, 金属层, 塑料层。 优点是省材料, 能源, 可制作大面积的太阳能电池板。 使用金属为a-Si:H, CdTe, CIS, GaAs。

E

Efficiency, 效率, 指一个光伏单元产生的电能除以它所受的光照强度。

EFG-Procedure, Edgedefined Film Growth的缩写。 用这个方法可以从硅中熔炼出8角形的管子, 棱长10厘米, 总长可以到5米,可以切割成10x10厘米晶片。优点是切割损耗少。

EG-Si, Elecronic Grade Silizium的缩写, 用于芯片制作的高纯度硅。

Electrolyte, 电解质。

Elektron, 电子。

Elektronen-Loch-Paar, 电子空穴对, 半导体吸收一个光子, 释放出一个电子和一个空穴。

Enclosure, 包装，防风雨模块的保护。 例如玻璃，等材料。

EVA, Ethylen-Venyl-Acetat的缩写。 封装太阳能电池板的薄膜。

F

Fresnel lens:菲涅尔透镜;用微分切割原理制成的薄板式透镜。

FZ, float-zone-procedure的缩写。

G

GaAs, Galllium Arsenid的缩写。半导体, 被用于太阳能电池板时, 效率可达22%。

Geometrical concentrator ratio:几何聚光率;聚光器面积与太阳电池面积之比叫几何聚光率。

Grid, 太阳能电池板上的金属导线。电阻越小越好, 这样能量损失少。

H

Hole saw, 空穴锯，空穴锯是一个非常薄的金属片，就像耳膜一样薄，这个薄片在正中央有一个洞，它的边缘使用金刚石刀。使用该薄片切割使损耗在0.2到0.3微米之间。

Hole, 空穴，正的带电体，在半导体接收光照后，和电子同时出现的带电体，一般成为空穴电子对。

Hot Spot, 热点，在电池板部分被阴影遮挡时，被遮挡的单元不能发电同时有很大的电阻，对于串联的电路会有很大的热损耗，甚至烧坏该点的电池板。 为了避免此情况的发生，旁路二极管与各自的单元并联。从而便免欧姆的热损失。

I

I：电流的缩写，国际单位为安培

Indium-Zinn-Oxid： 缩写（ITO)， 铟锌氧化物，透明的半导体，并具有很高的导电性，作为透明接触层应用于对很薄的电池板单元或是彩色物质单元。

Ingo: 从多晶硅或是单晶硅提炼出的块状物。

Integrated serial switching：集成的串联技术，在生产大面积的电池板时应用于薄膜技术。 在生产过程中大面积的电池板单元被激光束裁成单个的薄片，但是这个薄片的上表面要和邻居薄片的下表面组成串联。集成的串联技术是除了节省材料外的一个重要优点的薄膜技术。

Intensity： 光照强度， 物理测量的单位面积的光照功率，单位是瓦特每平方米。

Intrinsic：描述一个没有掺杂的半导体和一个掺杂半导体的对比。

Inverter：逆变器，将变化的MPP由太阳能电池板提供的直流电转化为电网交流电的变频器。

Ion： 离子，分正和负的原子或者分子，离子在电解液里起到导电的作用。

ISC：短路电流。

Island system：孤岛系统，是不和大电网联网，只是供自己使用的光伏系统，例如只是在山里或是小岛上的光伏发电系统。

ITO：是铟锑氧化物的缩写。

I-U-characteristic curve： 电池板I-U特征曲线，代表太阳能电池的典型特征。 在这里太阳能电池板的输出的电压和电流的关系。 从I-U-曲线里可以看出该电池板以下的特征：电池板最大利用率，短路电流，开路电压，电池板效率等。

K

kT, 热学能量(k= Boltzmann常数, 1.381x10-23 J/K, T = Kelvin绝对温度)

kWh：千瓦时，能量的单位。1kW=1000瓦，是一千瓦的灯泡亮一个小时锁消耗的能量。

kWp, peak：指的是最大的功率点，单位是千瓦，一般太阳能逆变器的功率就是指的是最大功率。

L

Laminate：一种薄片材料，来保护电池板芯片，例如EVA或Tedlar。 通过该物质将电池板芯片整个用透明的物质密封起来，一方面保护电池板芯片，另外一方面还要保持阳光的穿透力。

Light trapping： 光的增透，在光完全被电池板吸收前，进入电池板的光通过反射和内表面的阻碍，光的增透对薄层电池板有着非常特别的意义，表面处理技术起着重要的作用。

M

Majority charge carrier：多子，描述半导体里的带电体，通常决定于掺杂的类型，例如在p型多子是空穴，n型多子则是电子。

Marginal cost payment time： 接收太阳能发电，向电网传输所获的收益，因此到一定的是将将收回太