高频开关的集成电路直接驱动

时间：09-27 来源：互联网点击：

　　（1）应用条件。驱动芯片的浮地端可以与MOSFET源端同电位相连，驱动芯片PWM功率输出级能拉、灌电流500 mA，一般可以直接驱动数十安的MOSFET和IGBT。

　　（2）电路，其电路如图1所示，其中V3为被驱动的MOSFET，V1提供“拉”电流，V2提供“灌”电流。R1（5～10Ω）用米限制峰值电流，以减小尖峰干扰。R2为静态放电电阻（1≈100 kΩ），电路不通电时，保证CGS处在无电压状态，以防止V3长期处于导通状态，并使栅－源之间处在低电阻状态，不易受到外界的干扰，或使栅一源击穿。