开关电源设计原理及全过程（二）

EMI,R17一般使用1/2W的电阻，C10一般使用耐压500V的陶质电容，snubber调整的过程(264V/63Hz)需注意R17,C10是否会过热，应避免此种情况发生。

3.3.33 C11,C13(滤波电容)：

二次侧第一级滤波电容，应使用内阻较小的电容(LXZ,YXA…)，电容选择是否洽当可依以下三点来判定：

a. 输出Ripple电压是符合规格

b. 电容温度是否超过额定值

c. 电容值两端电压是否超过额定值

3.3.34 R19(假负载)：

适当的使用假负载可使线路更稳定，但假负载的阻值不可太小，否则会影响效率，使用时亦须注意是否超过电阻的额定值(一般设计只使用额定瓦数的一半)。

3.3.35 L3,C12(LC滤波电路)：

LC滤波电路为第二级滤波，在不影响线路稳定的情况下，一般会将L3 放大(电感量较大)，如此C12可使用较小的电容值。

4 设计验证：(可分为三部分)

a. 设计阶段验证

b. 样品制作验证

c. QE验证

4.1 设计阶段验证

设计实验阶段应该养成记录的习惯，记录可以验证实验结果是否与电气规格相符，以下即就DA-14B33设计阶段验证做说明(验证项目视规格而定)。

4.1.1 电气规格验证：

4.1.1.1 3843 PIN3脚电压(full load 4A) :

90V/47Hz = 0.83V

115V/60Hz = 0.83V

132V/60Hz = 0.83V

180V/60Hz = 0.86V

230V/60Hz = 0.88V

264V/63Hz = 0.91V

4.1.1.2 Duty Cycle , fT:

4.1.1.3 Vin(min) = 100V (90V / 47Hz full load)

4.1.1.4 Stress (264V / 63Hz full load) :

Q1 MOSFET:

4.1.1.5 辅助电源(开机，满载)、短路Pin max.:

4.1.1.6 Static (full load)

Pin(w) Iin(A) Iout(A) Vout(V) P.F. Ripple(mV) Pout(w) eff

90V/47Hz 18.7 0.36 4 3.30 0.57 32 13.22 70.7

115V/60Hz 18.6 031 4 3.30 0.52 28 13.22 71.1

132V/60Hz 18.6 0.28 4 3.30 0.50 29 13.22 71.1

180V/60Hz 18.7 0.21 4 3.30 0.49 30 13.23 70.7

230V/60Hz 18.9 0.18 4 3.30 0.46 29 13.22 69.9

264V/60Hz 19.2 0.16 4 3.30 0.45 29 13.23 68.9

4.1.1.7 Full Range负载(0.3A-4A)

(验证是否有振荡现象)

4.1.1.8 回授失效(输出轻载)

Vout = 8.3Vê90V/47Hz

Vout = 6.03Vê264V/63Hz

4.1.1.9 O.C.P.(过电流保护)

90V/47Hz = 7.2A

264V/63Hz = 8.4A

4.1.1.10 Pin(max.)

90V/47Hz = 24.9W

264V/63Hz = 27.1W

4.1.1.11 Dynamic test

H=4A,t1=25ms,slew Rate = 0.8A/ms (Rise)

L=0.3A,t2=25ms,slew Rate = 0.8A/ms (Full)

90V/47Hz

264V/63Hz

4.1.1.12 HI-POT test:

HI-POT test一般可分为两种等级：

输入为3 Pin(有FG者)，HI-POT test为1500Vac/1? minute.Y-CAP使用Y2-CAP

输入为2 Pin(无FG者)，HI-POT test为3000Vac/1? minute.Y-CAP使用Y1-CAP

DA-14B33属於输入3 PIN HI-POT test 为1500Vac/1 minute.

4.1.1.13 Grounding test:

输入为3 Pin(有FG者)，一般均要测接地阻(Grounding test)，安规规定FG到输出线材(输出端)的接地电阻不能超过100MΩ(2.5mA/3 Second)。

4.1.1.14 温N记录

设计实验定案後(暂定)，需针对整体温N及EMI做评估，若温N或EMI无法符合规格，则需重新实验。温N记录请参考附件，D5原来使用BYV118(10A/40V Schottky barrier 肖特基二极管 )，因温N较高改为PBYR1540CTX(15A/40V)。

4.1.1.15 EMI测试：

EMI测试分为二类：

Conduction(传导干扰)

Radiation(幅射干扰)

前者视规范不同而有差异(FCC : 450K - 30MHz,CISPR 22 :150K - 30MHz)，前者可利用厂内的频谱分析仪验证;後者(范围由30M - 300MHz,则因厂内无设备必须到实验室验证，Conduction,Radiation测试资料请参考附件) .

4.1.1.16 机构尺寸：

设计阶段即应对机构尺寸验证，验证的项目包括 : PCB尺寸、零件限高、零件禁置区、螺丝孔位置及孔径、外壳孔寸…，若设计阶段无法验证，则必须在样品阶段验证。

4.1.2 样品验证：

样品制作完成後，除温N记录、EMI测试外(是否需重新验证，视情况而定)，每一台样品都应经过验证(包括电气及机构尺寸)，此阶段的电气验证可以以ATE(Chroma)测试来完成，ATE测试必须与电气规格相符。

4.1.3 QE验证：

QE针对工程部所提供的样品做验证，工程部应提供以下交件及样品供QE验证。

开关电源的优缺点

1、功耗小，效率高。在开关电源电路中，晶体管V在激励信号的激励下，它交替地工作在导通-截止和截止-导通的开关状态，转换速度很快，频率一般为50kHz左右，在一些技术先进的国家，可以做到几百或者近1000kHz.这使得开关晶体管V的功耗很小，电源的效率可以大幅度地提高，其效率可达到80%.

2、体积小，重量轻。从开关电源的原理框图可以清楚地看到这里没有采用笨重的工频变压器。由于调整管V上的耗散功率大幅度降低后，