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浅谈电池充电器原理

时间:01-26 来源:互联网 点击:

度接近100%,所以几乎所有的能量在充电开始的70%期间被吸收,而且电池保持不发热。超快速充电器利用该特点,在几分钟内将电池充到70%,以几C的电流充电而无热量产生。充到70%后,电池再以较低速率继续充电,直到电池充满。最后以0.02C至0.1C的涓流结束充电。

镍氢电池充电

尽管NiMH充电器与NiCd充电器类似,但是,NiMH充电器采用ΔT/dt方法终止充电,这是到目前NiMH电池充电的最好办法。NiMH电池充电结束时电压下降比较小,而对低充电速率(低于0.5C,这取于温度)可能不出现电压下降。

新的NiMH电池会在充电周期内过早地出现错误峰值,这会导致充电器过早结束充电。此外,单用-ΔV检测结束充电几乎肯定会出现过充,导致在电池失效前限制充放电次数。似乎没有在所有条件下(新或旧,热或冷,全部或部分放电)都适用的NiMH电池的-dV/dt充电算法。因此,除非NiCd充电器使用了dT/dt方法终止充电,否则不能用NiCd充电器为NiMH电池充电。而且,因为NiMH电池不能很好的吸收过充,所以,涓流充电电流比NiCd电池小(约0.05C)。

NiMH电池的慢充比较困难。因为以0.1C至0.3C的速率充电时,电压和温度的变化不能准确指示电池已充满。因此,慢速充 电器必须依靠定时器来决定何时结束充电。以此,为保证NiMH电池充满,应以接近1C的速率(或电池制造商指定速率)快速充电,同时监控电压(ΔV = 0)和温度(dT/dt)来确定何时结束充电。

锂离子和锂聚合物电池充电

镍基电池充电器限制电流,而锂离子电池充电器则需同时限制电压和电流。最初的锂离子电池充电电压限制在4.10V/节。电压越高意味着容量越大,现在可以通过增加化学添加剂实现4.20V电池电压。当前的锂离子电池一般充电到4.20V,容差为±0.05V/节。

当端电压达到电压阈值并且充电电流降至0.03C (约Icharge的3%,参考图6)时表明电池已充满。多数充电器达到满充的时间约为3小时。尽管某些线性充电器声称Li+电池充电只需约一小时,但这类充电器通常在电池端电压达到4.2V时就终止充电,这种方法只能将电池充到其容量的70%。

图6. 恒流、恒压充电,主要用于蜂窝电话,无线设备和笔记本电脑。

较高的充电电流并不会使充电时间缩短太多。较高的充电电流能较快达到电压峰值,但是浮充需要较长时间。通常,浮充时间是初始充电时间的两倍。锂离子电池保护

因为Li+电池过充或过放可能会导致爆炸并造成人员伤害,所以使用这类电池时,安全是主要关心的问题。因此,商用锂离子电池组通常包括象DS2720这样的保护电路(图7)。DS2720提供了可充电Li+电池所需的所有保护功能,如:在充电时保护电池、防止电路过流、通过限制电池的放电电压延长电池寿命。

图7. DS2720锂电池保护IC的典型应用电路

DS2720 IC使用外部开关元件,如低成本n沟道功率MOSFET,来控制充电和放电电流。内部9V的电荷泵为外部n沟道MOSFET提供高端驱动,与常见使用相同FET的低端保护电路相比具有更低的导通电阻。FET导通电阻实际上随电池放电而减少(见图8)。

图8. 受DS2720高端模式控制的保护FET电阻小于传统低端模式FET电阻。受DS2720控制的FET电阻实际上随电池电压下降而降低。保护模式

过压

如果在VDD检测的电池电压超过过压阈值VOV时间大于过压延迟时间tOVD,则DS2720关闭充电FET,并将保护寄存器的OV置位。在过压期间,放电通路保持开放。除非被另外保护条件锁定,当电池电压降到充电使能阈值VCE以下或由于放电导致VDD - VPLS > VOC时,充电FET被重新使能。

欠压

如果在VDD检测的电池电压低于欠压阈值VUV时间大于欠压延迟时间tUVD,则DS2720关闭充电和放电FET,并将保护寄存器的UV置位,使其进入休眠模式。当电池电压升到VUV以上和连接充电器后,IC打开充电和放电FET。

短路

如果在VDD检测的电池电压低于放电阈值VSC时间达到延迟时间tSCD,则DS2720关闭充电和放电FET,并将保护寄存器的DOC置位。除非PLS上的电压升至大于VDD - VOC,否则充电和放电FET不会导通。DS2720提供流经内部VDD至PLS电阻RTST的测试电流,当VDD升至大于VSC时上拉PLS。DS2720利用此测试电流检测有害低阻抗负载的移除。另外,测试电流还提供了流经RTST,由PLS到VDD的恢复性充电通路。

过流

若加在保护FET的电压(VDD - VPLS)大于VOC的时间超过了tOCD,则DS2720关断外部充电和放电FET,并将保护寄存器DOC置位。直到PLS上的电压升至大于VDD - VOC时电路才会导通。DS2720提供流经内部VDD至PLS电阻RTST的测试电流来检测有害低阻抗负载的移除。

过热

若DS2720温度超过TMAX,则立即关断外部充电和放电FET。在以下两个条件满足前FET不会导通:电

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