高效、极低EMI准谐振适配器设计诀窍

最近听到一些朋友在讨论一个问题，就是想要设计低EMI的准谐振适配器，又不知道采用什么方法最好。那么本文就将和朋友们分享一些可以设计出高能效、极低EMI的准谐振适配器诀窍，让你觉得今后再遇到这个问题不再困难。

准方波谐振转换器也称准谐振(QR)转换器，广泛用于电源适配器。准方波谐振的关键特征是金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在漏极至源极电压(VDS)达到其最低值时导通，从而减小开关损耗及改善电磁干扰(EMI)信号。

自振荡准谐振转换器在负载下降时，开关频率上升;这样，在轻载条件下，如果未限制开关频率，损耗会较高，影响电源能效，所以必须限制开关频率。

限 制开关频率的方法有两种：第一种是传统准谐振转换器所使用的带频率反走的频率钳位方法，即通过频率钳位来限制开关频率；但在轻载条件下，系统开关频率达到 频率钳位限制值时，出现多个处于可听噪声范围的谷底跳频，导致信号不稳定。为了解决这个问题，就出现第二种方法，也就是谷底锁定，即在负载下降时，在某个 谷底保持锁定，直到输出功率大幅下降，然后改变谷底。输出功率降低到某个值时，进入压控振荡器(VCO)模式，参见图1。具体而言，反馈(FB)比较器会 选定谷底，并将信息传递给计数器，FB 比较器的磁滞特性就锁定谷底。

图1 谷底锁定方法示意图

这种方法在系统负载降低时，提供自然的开关频率限制，不会出现谷底跳频噪声，且不降低能效。