三大因素决定RF功率放大器未来市场格局
时间:02-09
来源:互联网
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市场调研公司ABI Research日前发表了一份关于无线基站RF功率放大器市场的研究报告,认为有三大因素将决定该市场在未来五年的格局。据ABI Research的无线基础设施研究主管Lance Wilson介绍,该项研究确定了三方面的因素,该市场中的全部厂商都将需要加以重视。
第一,市场整合已改变了产业形势:价格下跌、成本压力和总体市场需求下降,已造成了竞争惨烈的商业环境。这种趋势注定要保持下去。
第二,“对于总有效市场(TAM)正在缩小的认识,真正开始深深触动市场中每一个厂商。”Wilson表示,“各厂商根据自己的市场地位,将需要认真考虑对于坚持这项业务的承诺。确实,有些厂商能否幸存可能取决于它们进入无线基础设施以外的其它新领域、使其业务实现多元化的能力。”
一些供应商开始提供垂直整合的基站半导体产品,试图摆脱这样的市场困扰;然而,Wilson观察到:“这个极度竞争的市场由于规模太小,这样销售反而更加吃力。”
最后,一项新的技术看来将改变该市场的特点。氮化镓(GaN)很适用于某些类型的开关型高效率放大器。该技术在过去两年里取得了长足的进步,据ABI Research的分析,GaN有望在2011年对硅LDMOS构成非常可信的威胁。
第一,市场整合已改变了产业形势:价格下跌、成本压力和总体市场需求下降,已造成了竞争惨烈的商业环境。这种趋势注定要保持下去。
第二,“对于总有效市场(TAM)正在缩小的认识,真正开始深深触动市场中每一个厂商。”Wilson表示,“各厂商根据自己的市场地位,将需要认真考虑对于坚持这项业务的承诺。确实,有些厂商能否幸存可能取决于它们进入无线基础设施以外的其它新领域、使其业务实现多元化的能力。”
一些供应商开始提供垂直整合的基站半导体产品,试图摆脱这样的市场困扰;然而,Wilson观察到:“这个极度竞争的市场由于规模太小,这样销售反而更加吃力。”
最后,一项新的技术看来将改变该市场的特点。氮化镓(GaN)很适用于某些类型的开关型高效率放大器。该技术在过去两年里取得了长足的进步,据ABI Research的分析,GaN有望在2011年对硅LDMOS构成非常可信的威胁。
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