用充电IC实现手机快速充电
时间:11-17
来源:互联网
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5 快充的效率
充电IC普遍效率是88%、89%,TI MaxCharge bq2589x系列可在3.5A提升到91%,这等于有2个百分点的提升。由于效率的提升,在TI的实测中,温度上升得很低,室温下,测试板上温度仅仅上升18℃,以前要上升30多℃。
温升直接决定了用户体验。因为现在手机的适配器、主芯片、电池充电的温升/散热是很重要的技术瓶颈。所以很多设计体验,由于散热不佳不得不采取折中办法。

6 放电
今天的Charger IC设计,所有的MOS管都集成在里面,采用串联电路,这样充电时要经过MOS管,但放电的时候会受到限制,放电时要通过一个MOS管(Q4)。
图3是charger IC的主流架构图,左侧是适配器的输入端,通过电感电流流进入,最后进入右侧大IC里再充电。现在用手机打电话时,放电过程一定要通过Q4元件,TI MaxCharge bq2589x的特色是,放电电流可以支持得很大,因为Q4的MOS管的阻抗值只有11mΩ(表1),堪称业界最低的阻抗。打电话进来,主要是功放工作,因为你要搜寻GSM信号时要把功率调得很大,接收塔才能接收到。因此电路这边需要很大的瞬态电流(尖峰电流)。MaxCharge的Q4阻抗很小;如果是其他的设计方案,由于内置Q4 MOS管的阻抗不够小,它里面还要再加元件,增加了成本。
具体来看,图3的电线是有阻抗的,其实IC里也有电阻,这些电阻会增加损耗。如果不计成本,这些阻抗越小越好(注:MOS管阻抗越小IC成本越高)。TI能在相应成本之下把阻抗降到市场最低,这是MaxCharge最大的亮点。以前5V时,电池充电到3.7V~4V,5V、4V和3.7V差异很小,一个5V到右侧3.7V实际差异不大,因此Q3导通的时间很短,这是切换电路:Q2-Q3,Q3-Q2两个交替切换,实现能量高效率转移。以前5V时,Q2的导通时间是最长的,所以Q2的阻抗要越低越好。

9V到14V差距很大,这要求Q2的导通时间要缩短,Q3的导通时间要加长,到了MaxCharge bq2589x,TI第一次把Q3阻抗降得比Q2还要低。Q3阻抗直接降到16mΩ(如表1)。这也是MaxCharge区别于竞争对手的很大差别,即Q3的阻抗直接让MaxCharge的效率有显著提高。
图4是Q2和Q3的损耗,它的切换频率是1.5V,属高频切换,这样的波形一直切换下去进行充电,它的占空比可以从此图看出来。
那么,Q3的16mΩ是怎么实现的?如果看芯片的设计,芯片是在SiO2基板上面做的很多流程。一般MOS管在芯片里占的面积是最大的,众所周知,面积越大电阻越小,电流是垂直穿过去的。要想实现16mΩ,必须要加大MOS管的面积,这样成本也会相应增加。关键在于MaxCharge bq2589x突破了很多设计限制,进行了优化(比如把数字部分缩小一点),使之与之前的芯片(bq2419x)管脚兼容。
在散热方面,MaxCharge也有一些封装讲究:芯片采用QFN(四方扁平无引线)封装,特点是QFN封装下面有Power Pad(焊盘)。在bq2419x系列之前,手机上的Charger IC最初是集成在PMU里的,采用BGA或CSP封装,等到不得不把Charge分出来的时候,Charger IC也为了节省空间,都用BGA封装。BGA封装,即把晶圆上切割下来的die(芯片)的反面Pad上装上焊球,即die本身就是封装,是最省空间的。MaxCharge之所以采用QFN封装,主要考虑散热,由于QFN封装下面有Power pad,因此封装比BGA大一些,需要焊接在整个电路板上,热是分散的,不是浓缩在一点的。当然,如果电池小的话,也没有必要用大封装快充,也就不需要QFN。
7 快充对电池的寿命影响
两年前TI推出了MaxLife,是为了在快速充电情况下兼顾电池的充电寿命。对于任何一个电芯来说,只要用大电流之后一定会让寿命减少。比如电芯本来有500个循环,用大电流之后,它就只有450个循环。今天的电池技术已经能做到相当多的循环次数,就算用1.5C充电,也能做几百个Cycle(循环)以上。
MaxLife实质上是电量计,利用MaxLife技术实时监控电芯老化特性,具体地,是用电量计控制Charge,Charge初始情况下设置1.5C,但发现电池老化很快的时候可能会把1.5C降下来。
但有些场合不需要MaxLife。例如大平板,平板4000、5000mAh的都有,即要用大电流,就算已经到了3A还不会损坏电池的寿命,还小于0.7C,这样的用户没必要用MaxLife技术。
8 快充适配器
目前的快充是统一的接口,能否快充取决于所用的适配器技术。市场上通用适配技术做不了快充,因为功率限制。适配器必须有升压功能才行,即适配器必须有握手的条件。
充电IC普遍效率是88%、89%,TI MaxCharge bq2589x系列可在3.5A提升到91%,这等于有2个百分点的提升。由于效率的提升,在TI的实测中,温度上升得很低,室温下,测试板上温度仅仅上升18℃,以前要上升30多℃。
温升直接决定了用户体验。因为现在手机的适配器、主芯片、电池充电的温升/散热是很重要的技术瓶颈。所以很多设计体验,由于散热不佳不得不采取折中办法。

6 放电
今天的Charger IC设计,所有的MOS管都集成在里面,采用串联电路,这样充电时要经过MOS管,但放电的时候会受到限制,放电时要通过一个MOS管(Q4)。
图3是charger IC的主流架构图,左侧是适配器的输入端,通过电感电流流进入,最后进入右侧大IC里再充电。现在用手机打电话时,放电过程一定要通过Q4元件,TI MaxCharge bq2589x的特色是,放电电流可以支持得很大,因为Q4的MOS管的阻抗值只有11mΩ(表1),堪称业界最低的阻抗。打电话进来,主要是功放工作,因为你要搜寻GSM信号时要把功率调得很大,接收塔才能接收到。因此电路这边需要很大的瞬态电流(尖峰电流)。MaxCharge的Q4阻抗很小;如果是其他的设计方案,由于内置Q4 MOS管的阻抗不够小,它里面还要再加元件,增加了成本。
具体来看,图3的电线是有阻抗的,其实IC里也有电阻,这些电阻会增加损耗。如果不计成本,这些阻抗越小越好(注:MOS管阻抗越小IC成本越高)。TI能在相应成本之下把阻抗降到市场最低,这是MaxCharge最大的亮点。以前5V时,电池充电到3.7V~4V,5V、4V和3.7V差异很小,一个5V到右侧3.7V实际差异不大,因此Q3导通的时间很短,这是切换电路:Q2-Q3,Q3-Q2两个交替切换,实现能量高效率转移。以前5V时,Q2的导通时间是最长的,所以Q2的阻抗要越低越好。

9V到14V差距很大,这要求Q2的导通时间要缩短,Q3的导通时间要加长,到了MaxCharge bq2589x,TI第一次把Q3阻抗降得比Q2还要低。Q3阻抗直接降到16mΩ(如表1)。这也是MaxCharge区别于竞争对手的很大差别,即Q3的阻抗直接让MaxCharge的效率有显著提高。
图4是Q2和Q3的损耗,它的切换频率是1.5V,属高频切换,这样的波形一直切换下去进行充电,它的占空比可以从此图看出来。
那么,Q3的16mΩ是怎么实现的?如果看芯片的设计,芯片是在SiO2基板上面做的很多流程。一般MOS管在芯片里占的面积是最大的,众所周知,面积越大电阻越小,电流是垂直穿过去的。要想实现16mΩ,必须要加大MOS管的面积,这样成本也会相应增加。关键在于MaxCharge bq2589x突破了很多设计限制,进行了优化(比如把数字部分缩小一点),使之与之前的芯片(bq2419x)管脚兼容。
在散热方面,MaxCharge也有一些封装讲究:芯片采用QFN(四方扁平无引线)封装,特点是QFN封装下面有Power Pad(焊盘)。在bq2419x系列之前,手机上的Charger IC最初是集成在PMU里的,采用BGA或CSP封装,等到不得不把Charge分出来的时候,Charger IC也为了节省空间,都用BGA封装。BGA封装,即把晶圆上切割下来的die(芯片)的反面Pad上装上焊球,即die本身就是封装,是最省空间的。MaxCharge之所以采用QFN封装,主要考虑散热,由于QFN封装下面有Power pad,因此封装比BGA大一些,需要焊接在整个电路板上,热是分散的,不是浓缩在一点的。当然,如果电池小的话,也没有必要用大封装快充,也就不需要QFN。
7 快充对电池的寿命影响
两年前TI推出了MaxLife,是为了在快速充电情况下兼顾电池的充电寿命。对于任何一个电芯来说,只要用大电流之后一定会让寿命减少。比如电芯本来有500个循环,用大电流之后,它就只有450个循环。今天的电池技术已经能做到相当多的循环次数,就算用1.5C充电,也能做几百个Cycle(循环)以上。
MaxLife实质上是电量计,利用MaxLife技术实时监控电芯老化特性,具体地,是用电量计控制Charge,Charge初始情况下设置1.5C,但发现电池老化很快的时候可能会把1.5C降下来。
但有些场合不需要MaxLife。例如大平板,平板4000、5000mAh的都有,即要用大电流,就算已经到了3A还不会损坏电池的寿命,还小于0.7C,这样的用户没必要用MaxLife技术。
8 快充适配器
目前的快充是统一的接口,能否快充取决于所用的适配器技术。市场上通用适配技术做不了快充,因为功率限制。适配器必须有升压功能才行,即适配器必须有握手的条件。
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