单片机的扩展RAM读写时序

　　摸索了好久，居然忘记了利用部门的示波器好好测测。书上看到的毕竟是理论的东西，实际应用中总会碰上意外的或者说是不可预测的情况，与其在那瞎推理，还不如动手做点实际的工作。
　　说实话，在所里这几个月工作还没有正式启动，现在还处于所谓的知识储备阶段，所以也没什么机会动动示波器。今天才注意到这家伙是GHz级别的，4通道，捕捉单片机那几个小信号那叫游刃有余，爽哉爽哉，于是乎梦想着哪天自家工作台上也能摆个这玩意～-～，话扯远了，言归正传。
　　特权同学用的是11.0592MHz的STC89C52做测试，C代码也很简单：
　　#include
[color=]　　#define uchar unsigned char

[color=]　　#define uint unsigned int

[color=]　　uchar xdata LD _at_ 0x7fff;

[color=]　　void delay(uint cnt)

[color=]　　{

[color=]　　uint i;

[color=]　　for(i=0;i

[color=]　　}

[color=]　　void main(void)

[color=]　　{

[color=]　　uchar i;

[color=]　　delay(1000);

[color=]　　while(1)

[color=]　　{

[color=]　　LD = 0x00;

[color=]　　LD = 0xf0;

[color=]　　LD = 0x73;

[color=]　　// i = LD;

[color=]　　delay(1000);

[color=]　　LD = 0xff;

[color=]　　delay(1000);

[color=]　　}

[color=]　　}
　　LD就是扩展的外部RAM变量，地址是0x7fff，也就是说P2的最高位就是CS信号。示波器测试了P0口任意一个数据的变化、CS的变化、WR\RD信号的变化。大体整理了一下，波形基本如下：
　　


　　另外，我还注意到除了第一次LD读操作需要5个指令周期外(1.085us*5)，以后每次LD读操作都只要3个指令周期(1.085*3)。这也是从汇编的代码里仿真后得出来的结论。而从上图也可以知道CS有效时间其实是一个指令周期(1.085us)。平均3个指令周期完成一次数据传输(所谓的RAM方式读写数据)，这应该是单片机和外部通信的最快速度了。