详解高亮度LED之“封装热导”原理技术
时间:11-11
来源:互联网
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裸晶层:光热一体两面的发散源头:p-n接面
关于LED的散热我们同样从最核心处逐层向外讨论,一起头也是在p-n接面部分,解决方案一样是将电能尽可能转化成光能,而少转化成热能,也就是光能提升,热能就降低,以此来降低发热。
如果更进一步讨论,电光转换效率即是内部量子化效率(Internal Quantum Efficiency;IQE),今日一般而言都已有70%90%的水平,真正的症结在于外部量子化效率(External Quantum Efficiency;EQE)的低落。
以Lumileds Lighting公司的Luxeon系列LED为例,Tj接面温度为25℃,顺向驱动电流为350mA,如此以InGaN而言,随著波长(光色)的不同,其效率约在5%27%之间,波长愈高效率愈低(草绿色仅5%,蓝色则可至27%),而AlInGaP方面也是随波长而有变化,但却是波长愈高效率愈高,效率大体从8%40%(淡黄色为低,橘红最高)。
由于增加光取出率(Extraction Efficiency,也称:汲光效率、光取效率)也就等于减少热发散率,等于是一个课题的两面,而关于光取出率的提升请见另一篇专文:高亮度LED之「封装光通」原理技术探析。在此不再讨论。
裸晶层:基板材料、覆晶式镶嵌
如何在裸晶层面增加散热性,改变材质与几何结构再次成为必要的手段,关于此目前最常用的两种方式是:1.换替基板(Substrate,也称:底板、衬底,有些地方也称为:Carrier)的材料。2.经裸晶改采覆晶(Flip-Chip,也称:倒晶)方式镶嵌(mount)。
先说明基板部分,基板的材料并不是说换就能换,必须能与裸晶材料相匹配才行,现有AlGaInP常用的基板材料为GaAs、Si,InGaN则为SiC、Sapphire(并使用AlN做为缓冲层)。
对光而言,基板不是要够透明使其不会阻碍光,就是在发光层与基板之间再加入一个反光性的材料层,以此避免「光能」被基板所阻碍、吸收,形成浪费,例如GaAs基板即是不透光,因此再加入一个DBR(Distributed Bragg Reflector)反射层来进行反光。而Sapphire基板则是可直接反光,或透明的GaP基板可以透光。
除此之外,基板材料也必须具备良好的热传导性,负责将裸晶所释放出的热,迅速导到更下层的散热块(Heat Slug)上,不过基板与散热块间也必须使用热传导良好的介接物,如焊料或导热膏。同时裸晶上方的环氧树脂或矽树脂(即是指:封胶层)等也必须有一定的耐热能力,好因应从p-n接面开始,传导到裸晶表面的温度。
除了强化基板外,另一种作法是覆晶式镶嵌,将过去位于上方的裸晶电极转至下方,电极直接与更底部的线箔连通,如此热也能更快传导至下方,此种散热法不仅用在LED上,现今高热的CPU、GPU也早就采行此道来加速散热。
从传统FR4 PCB到金属核心的MCPCB
将热导到更下层后,就过去而言是直接运用铜箔印刷电路板(Printed Circuit Board;PCB)来散热,也就是最常见的FR4印刷电路基板,然而随著LED的发热愈来愈高,FR4印刷电路基板已逐渐难以消受,理由是其热传导率不够(仅0.36W/m.K)。
为了改善电路板层面的散热,因此提出了所谓的金属核心的印刷电路板(Metal Core PCB;MCPCB),即是将原有的印刷电路板附贴在另外一种热传导效果更好的金属上(如:铝、铜),以此来强化散热效果,而这片金属位在印刷电路板内,所以才称为「Metal Core」,MCPCB的热传导效率就高于传统FR4 PCB,达1W/m.K2.2W/m.K。
不过,MCPCB也有些限制,在电路系统运作时不能超过140℃,这个主要是来自介电层(Dielectric Layer,也称Insulated Layer,绝缘层)的特性限制,此外在制造过程中也不得超过250℃300℃,这在过锡炉时前必须事先了解。
附注:虽然铝、铜都是合适的热导热金属,不过碍于成本多半是选择铝材质。
关于LED的散热我们同样从最核心处逐层向外讨论,一起头也是在p-n接面部分,解决方案一样是将电能尽可能转化成光能,而少转化成热能,也就是光能提升,热能就降低,以此来降低发热。
如果更进一步讨论,电光转换效率即是内部量子化效率(Internal Quantum Efficiency;IQE),今日一般而言都已有70%90%的水平,真正的症结在于外部量子化效率(External Quantum Efficiency;EQE)的低落。
以Lumileds Lighting公司的Luxeon系列LED为例,Tj接面温度为25℃,顺向驱动电流为350mA,如此以InGaN而言,随著波长(光色)的不同,其效率约在5%27%之间,波长愈高效率愈低(草绿色仅5%,蓝色则可至27%),而AlInGaP方面也是随波长而有变化,但却是波长愈高效率愈高,效率大体从8%40%(淡黄色为低,橘红最高)。
备注:从Lumileds公司Luxeon系列LED的横切面可以得知,矽封胶固定住LED裸晶与裸晶上的萤光质(若有用上萤光质的话),然后封胶之上才有透镜,而裸晶下方用焊接(或导热膏)与矽子镶嵌芯片(Silicon Sub-mount Chip)连接,此芯片也可强化ESD静电防护性,往下再连接散热块,部分LED也直接裸晶底部与散热块相连。(图片来源:Lumileds.com)
备注:Lumileds公司Luxeon系列LED的裸晶采行覆晶镶嵌法,因此其蓝宝石基板变成在上端,同时还加入一层银质作为光反射层,进而增加光取出量,此外也在Silicon Submount内制出两个基纳二极管(Zener Diode),使LED获得稳压效果,使运作表现更稳定。(图片来源:Lumileds.com)
由于增加光取出率(Extraction Efficiency,也称:汲光效率、光取效率)也就等于减少热发散率,等于是一个课题的两面,而关于光取出率的提升请见另一篇专文:高亮度LED之「封装光通」原理技术探析。在此不再讨论。
裸晶层:基板材料、覆晶式镶嵌
如何在裸晶层面增加散热性,改变材质与几何结构再次成为必要的手段,关于此目前最常用的两种方式是:1.换替基板(Substrate,也称:底板、衬底,有些地方也称为:Carrier)的材料。2.经裸晶改采覆晶(Flip-Chip,也称:倒晶)方式镶嵌(mount)。
先说明基板部分,基板的材料并不是说换就能换,必须能与裸晶材料相匹配才行,现有AlGaInP常用的基板材料为GaAs、Si,InGaN则为SiC、Sapphire(并使用AlN做为缓冲层)。
备注:为了强化LED的散热,过去的FR4印刷电路板已不敷应付,因此提出了内具金属核心的印刷电路板,称为MCPCB,运用更底部的铝或铜等热传导性较佳的金属来加速散热,不过也因绝缘层的特性使其热传导受到若干限制。(制图:郭长佑)
对光而言,基板不是要够透明使其不会阻碍光,就是在发光层与基板之间再加入一个反光性的材料层,以此避免「光能」被基板所阻碍、吸收,形成浪费,例如GaAs基板即是不透光,因此再加入一个DBR(Distributed Bragg Reflector)反射层来进行反光。而Sapphire基板则是可直接反光,或透明的GaP基板可以透光。
除此之外,基板材料也必须具备良好的热传导性,负责将裸晶所释放出的热,迅速导到更下层的散热块(Heat Slug)上,不过基板与散热块间也必须使用热传导良好的介接物,如焊料或导热膏。同时裸晶上方的环氧树脂或矽树脂(即是指:封胶层)等也必须有一定的耐热能力,好因应从p-n接面开始,传导到裸晶表面的温度。
除了强化基板外,另一种作法是覆晶式镶嵌,将过去位于上方的裸晶电极转至下方,电极直接与更底部的线箔连通,如此热也能更快传导至下方,此种散热法不仅用在LED上,现今高热的CPU、GPU也早就采行此道来加速散热。
从传统FR4 PCB到金属核心的MCPCB
将热导到更下层后,就过去而言是直接运用铜箔印刷电路板(Printed Circuit Board;PCB)来散热,也就是最常见的FR4印刷电路基板,然而随著LED的发热愈来愈高,FR4印刷电路基板已逐渐难以消受,理由是其热传导率不够(仅0.36W/m.K)。
为了改善电路板层面的散热,因此提出了所谓的金属核心的印刷电路板(Metal Core PCB;MCPCB),即是将原有的印刷电路板附贴在另外一种热传导效果更好的金属上(如:铝、铜),以此来强化散热效果,而这片金属位在印刷电路板内,所以才称为「Metal Core」,MCPCB的热传导效率就高于传统FR4 PCB,达1W/m.K2.2W/m.K。
不过,MCPCB也有些限制,在电路系统运作时不能超过140℃,这个主要是来自介电层(Dielectric Layer,也称Insulated Layer,绝缘层)的特性限制,此外在制造过程中也不得超过250℃300℃,这在过锡炉时前必须事先了解。
附注:虽然铝、铜都是合适的热导热金属,不过碍于成本多半是选择铝材质。
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