新型HELP技术与开关调节器在3G手机中的应用
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图1为LTC3251是引脚功能与应用示意图
2.2 用低压差、脉宽调制(PWM)DC-DC降压转换器提高发送效率的方案
⑴ 低压差、脉宽调制(PWM)DC-DC降压转换器MAX1821可为WCDMA手机功率放大器(PA) 供电设计,当然,它也可以用于其它需要优先考虑高效率的应用。供电电压范围2.6V~5.5V,保证输出电流达600mA,1MHz PWM开关频率允许采用小尺寸外部元件,跳频模式使轻载静态电流降低至180?A。MAX1821可以动态控制,提供0.4V~3.4V的输出电压范围。在电压和电流的满量程范围内,该电路的设计能够保证在<30?s内建立输出电压。MAX1821通过外部电阻设置输出电压,提供 1.25V~5.5V固定输出电压范围。
MAX1821具有一个低导通电阻的内部MOSFET开关和同步整流器,大大提高了转换效率、减少了外部元件数;100%占空比在600mA负载下(包括外部电感电阻在内)允许压差仅有150mV。图2(a)所示为基于开关调节器技术以提高发送效率的设计框图。
图2 (a) 基于开关调节器技术以提高发送效率的设计框图,(b)基站收发器系统(BTS)部件基站收发器系统(BTS)部件包括天线、无线电收发器、信号处理系统以及支持、控制硬件和软件,见图2(b)所示。
对于广域蜂窝站,接收器-般通过双上器模块和塔顶部件连接到天线。塔顶部件由低噪声放大器(LNA)组成,在发送端天线前馈连高功率放大器(HPA)。从图2(a)中可看出,实际上是在电池与WCDMA功率放大器(PA)中嵌入MAX1821降压型开关调节器,也组成了1MHZ脉宽调制降压转换器,其PWM开关频率为1MHZ。
⑵开关调节器为WCDMA功放优化配置,有利于提高发送效率的运行
实际上,重点是从系统性能的角度对特殊用途的MAX1820开关调节器有些什么样的特殊性能作分析,从而优化配置的运行也显而易见了。
从图2(a)可以清楚地看出,利用MAX1821这样的高效率开关调节器能动态地调整WCDMA功率放大器的供电电压,并使其跟随功放的发送功率而变化,又刚好能满足射频信号的幅度要求。既可以提高电源的利用率,又减少了功率浪费。采用开关调节器高效率地实现这种调节,在峰值发送功率以外的任何工作条件下,都可大幅度地节省电池功率,见图3所示。
图3高效率开关调节器大幅度地节省电池功率图
因为峰值功率只有在手机远离基站/或数据传送时需要.。从总体来讲,这种方案的省电效果是非常显著的。如果功放的供电电压能够在一个足够宽的范围内高效率地动态调节,那么,就有可能采用固定增益的线性功放,省掉目前广泛应用于3G时代前电话的偏置控制。
⑶ 作为负载的功放及其特性
从双极工艺的固定增益WCDMA功率放大器的负载曲线所知,在峰值发送功率时,功率需要3.4V的供电电压,并消耗掉300mA~600mA的电流。在最低发送功率时,也就是当靠近基站并且只发送话音时,功放仅吸取30mA的电流和0.4V~1V的电源电压。对应的功放消耗功率分别为2040mW(最大值)和12mW(最小值)。针对具有此类负载特性的功放,要对开关调节器进行优化并非易事,而MAX1821 WCDMA蜂窝电话降压型调节器能满足这种要求。
除上述以外,MAX1821区别于其它类型的开关调节器的特殊性能如下:
其一是在很宽负载范围内具有高效率。没有高效率采用开关调节器就失去意义,因此,高效率和省电是MAX1821的主导设计思想。其二是输出电压的快速转变和建立(30μs)。
在WCDMA系统架构中,发送功率需要根据基站的要求,每666μs向上或向下调节1dB,以跟随WCDMA功放的发射功率电平。此外,每隔10ms,手机会发生大幅度的发送功率跳变。其三是稳定工作于9.5%~100%PWM占空比和低压差。假设手机由单节锂离子电池(4.2V- 2.7V)供电,那么输入开关调节器的电压范围大约是4.2v~2.7v,为了获得可预知的噪声频谱和低输出纹波,应该尽量采用恒定的开关频率,MAX1821的强制PWM工作模式在电池完全充电至4.2v且要求功放电源电压为0.4v时,可稳定工作于最低至9.5%的占空比。
3 基于HELP技术可提高移动通信终端省电方案
3.1 HELP技术
HELP技术是将功率控制功能集成到功放模块上,是半导体集成InGaP-Plus技术的实现。
其ANADIGICS的InGaP-Plus技术,通过使用多条增益链路来设计功率放大器,以解决功放的优化问题。该技术允许在同一晶体上分别优化高性能的射频开关和功率放大器。使用这项技术提供了第一个3x3mm单频(如AWT*1型)和3x5mm双频(如AWT6221型)WCDMA低功率高效率功率放大器。使得功放在不同功率水平可以进行独立的优化。采用ANADIGICS的HELP技术,不需要外部电压调节器或DC/DC转换器即可提供低功耗。而InGaP-P1us技术是集成虚同晶高电子迁移率场效应管(图4左所示G S/D场效应管)和异质结双极晶体管(图4右所示EBC双极晶体管)在同一个晶片上,实现了两路功放的多级优化。两路功放的多级优化具体分析如下。
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