MIT设计出新p型锗晶体管 速度达现今晶体管的4倍

MIT电气工程与计算机科学（EECS）部门的工程师朱迪·霍伊特，与其团队成员在微系统技术实验室（MTL）设计出一种新的p型锗晶体管。新的晶体管速度达到现今大部分实验设计的2倍，市场上p型晶体管速度的4 倍。

为了能够提升速度，科学家们将锗放置在不同的硅层上和硅锗复合材料上，随后锗原子将与硅层结合起来，拉紧材料迫使最上层材料结构比它们的原始结构更加紧凑。

此图为实验室晶体管的显微照片，蓝色高亮部分为迫使锗原子更加紧凑的拉紧区域。