微电子所1700V IGBT研制首次流片取得突破

　　近期，由中科院微电子所硅器件与集成技术研究室(一室)朱阳军副研究员带领的IGBT团队在1700V IGBT研制方面取得了突破性进展。

该团队此次研制的1700V trench NPT IGBT产品经过首轮流片静态参数基本达标，其中阻断电压达1800V以上，饱和压降2.8V；动态参数优良，其中最关键的下降时间tf在130ns左右，优于国外多个厂家同类产品的300ns；5月4日本批产品又通过了168小时HTRB(高温反偏老炼试验)可靠性摸底试验。综合来看，该批产品在性能上已达到国际先进水平，优于国外多个厂家的同类产品。

本次产品的开发是微电子所首次涉足1700V高压IGBT研制，采用了完全自主设计的终端(2种)和元胞(9种)结构。制造工艺基于国内华虹NEC8吋线，由微电子所负责工艺设计，工艺线进行单项工艺模块开发。标志着IGBT工艺从设计研制到工艺开发的贯通又上了一个新的台阶。

　　微电子所IGBT产品研制在所领导和室领导的关怀帮助下发展顺利，研究团队不断发展壮大，在近一年的时间内，取得了阶段性的成绩。项目组先后承担了国家重大科技专项，中科院院重要方向性项目，中科院“创新2020”首批支撑服务国家战略性新兴产业科技行动计划专项，院地合作专项等一系列科研项目。产品开发方面已形成了1200V系列8款，即将形成1700V系列4款等芯片/器件/模块产品;并已设计完成6500V IGBT器件和工艺，1200V & 1700V FRD器件和工艺等，正转入流片阶段。IGBT团队将以更加团结饱满的热情、科学严谨的宗旨投入到新的产品的研制开发中。