英特尔展示RF CMOS技术 3枚无线芯片整合为1枚

2011年2月21日消息，美国英特尔在“Mobile World Congress 2011”（2011年2月14～17日，西班牙巴塞罗那）上，公布了利用硅CMOS技术制造功率放大器、LNA（低噪声放大电路）以及RF开关等RF电路的研究成果。英特尔采用32nm工艺CMOS技术制造了RF电路，在会场上公开了使用该芯片进行通信的演示。英特尔表示该芯片还可用于移动通信。

　　英特尔的研究目的在于，将一般情况下由基带处理器、RF收发器IC及前端模块这3枚芯片组成的无线通信用电路整合为1枚芯片。此次的一大成果是，与英特尔目前正在供货的个人电脑用微处理器一样，利用了32nm的尖端工艺技术。“距离实现包括从应用处理器到前端模块在内的无线通信用全方位SoC又近了一步”（英特尔）。预计此次的研究成果还可使用22nm工艺技术。

　　目前正处于试制各种无线通信方式的RF电路，验证其工作情况的阶段。实用化时间尚未确定。“如果频带不到60GHz，对通信方式没有限制。还可用于移动通信方式等。不过，需要根据所需的传输电力来改变功率放大器的设计”（英特尔）。在此次的展示中，利用设想频带为2.3～2.8GHz时设计的芯片，进行了通过无线LAN的通信演示。