TriQuint发布0.15um光学pHEMT制程技术 助力成本效益的毫米波应用
TQP15已在俄勒冈州希尔伯勒TriQuint量产GaAs的晶圆厂投产,是TriQuint高质量赝晶高电子迁移率晶体管 (pHEMT) 工艺系列中的最新产品。TQP15采用光刻技术,成本低于传统电子束工艺解决方案。同时,还采用难熔金属栅结构,不存在非难熔栅pHEMT工艺中标准金属栅散热故障保护机制。
TriQuint全球运营部副总裁Steve Grant指出:“TQP15工艺以TriQuint生产出数以百万计pHEMT晶圆的成熟加工能力为基础。因此,客户完全可以相信TQP15基础技术的稳定性。由于光刻技术首创应用,这一工艺具有成本效益方面的优势。”
整个开发过程中,工艺提交给选择的客户设计人员试用,收集反馈意见,帮助工艺定型。
Custom MMIC Design Services公司总裁Paul Blount表示:“TQP15为我们提供了经济的高频pHEMT工艺。我们成功地将TQP15应用于K频段高频放大器和控制功能,并计划扩大这一工艺的应用范围,用其生产我们的Ka频段产品系列。”
TriQuint代工部营销总监Mike Peters指出:“TriQuint以其丰富的HBT、电子束和光栅pHEMT技术成为公认的技术领导者。TQP15的发布进一步巩固了这一主导地位。结合已发布的成套光栅pHEMT技术TQPED和TQP13-N,以及即将推出的TQP25工艺,TriQuint将继续为毫米波市场商品化提供支持。”
TriQuint将于2010年9月27日下午5:30 – 6:30 (欧洲中部下令时),在拉德芳斯复兴巴黎酒店 (Renaissance Paris la Defense),Bagatelle / Tulle会议室举行交互式客户论坛,探讨TQP15架构、可靠性和性能,同时介绍欧洲微波年会相关信息。
工艺概览与技术规格
参数 | TQP15 |
Gate Length (um) | 0.15 |
BV (V) (typ) | 14 |
Vp (V) | -1.0 |
Idss (mA/mm) | 380 |
Imax (mA/mm) | 580 |
Ft Peak (GHz) | 80 |
Gm @ Idss (mS/mm) | 550 |
NF @15GHz (dB) | 0.6 |
Power Density @ 21 GHz (mW/mm) | >700 |
关于TriQuint
作为向全球领先的通信、国防和航空航天公司提供创新射频解决方案与代工服务的全球领先提供商,TriQuint半导体公司(纳斯达克股票代码:TQNI)在2010年庆祝公司成立25周年。全世界的人们和组织都需要实时、不间断的通信联系;TriQuint产品可帮助降低用于提供关键语音、数据和视频通信的互联移动设备与网络的成本和提高它们的性能。凭借业内最广泛的技术系列、公认的研发领先地位以及在大规模制造领域的专业知识,TriQuint生产基于砷化镓 (GaAs)、氮化钾 (GaN)、声表面波 (SAW) 和声体波 (BAW) 技术的标准及定制产品。该公司在美国拥有多家已通过ISO9001认证的制造工厂,在哥斯达黎加拥有生产中心,在北美地区和德国拥有设计中心。欲知更多信息请访问www.triquint.com。
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