LTE/LTE-A终端芯片工艺会是多少nm

不知LTE/LTE-A终端芯片工艺会是多少nm？单芯片要支持怎么多制式，而且据说LTE的终端芯片耗电量大，对电池是一个很大考验。

40nm,45nm和65nm指的是CPU/GPU制程中的线宽等级。线宽就是CPU/GPU核心集成电路中线路的宽度，线宽越小，同样的芯片面积中就能容纳更多的线路，发热量也就越小。

45纳米与65纳米差距主要在散热和耗电量上`性能相应肯定会高那么一点。 生产制造的工艺尺寸越小，芯片内部栅极结构之间的漏电量就越少，电能利用率就越高，发热量就越小。 同样的，由于晶体管尺寸缩小，相同面积的芯片当中就能集成更多数量的晶体管，芯片的计算性能就能大幅提升。

线宽只是一个先天条件,

设计对功耗的影响也很大

一个牛人,一个菜鸟,设计出来的电路差别是很大的

现在主流已是28nm了，LTE/LTE-A终端芯片工艺应该是14nm，至少也是20nm。

不好说呀。 制造工艺提高，成本是不是也会相应增加呀。

商用应该是20~14nm+SOI，28nm功耗也下不来；
其实40以后，工艺的shrink和功耗的减少不成比例。

用28nm成本不会增加，反而降低，主要限制是设计的水平，还有代工厂的产能