恩智浦新一代硅锗碳BiCMOS QUBIC4技术促进射频创新

恩智浦半导体（NXP Semiconductors，由飞利浦成立的独立半导体公司），近日推出业界领先的QUBIC4 BiCMOS硅技术，巩固了其在射频领域的领导地位，实现在高频率上提供更优的性能和更高集成度的同时，为客户带来成本优势。恩智浦承诺将进一步加大对QUBIC4 BiCMOS技术的投入，使未来的射频(RF)产品，如手机和通信基础设施设备所用的低噪声放大器、中功率放大器和LO发生器等，能够具有更强的性能特性。

恩智浦创新的硅锗碳工艺，可使客户在器件中集成更多功能，同时进一步降低成本，减小占用空间。出类拔萃的QUBIC4技术具有最出色的低噪声性能和大量可用IP，从而加快硅器件对砷化镓器件的替换，在所有双向数据传输系统中提供更大的带宽，提高语音、图像和数据信号的清晰度，使客户满意；特别是在GPS、无线基站、电子计量等领域，恩智浦的QUBIC4技术有助于加快GPS系统的卫星跟踪和定位，改善基站性能，实现电子计量产品的普及，同时推动WLAN、卫星和微波无线电应用。

Gartner公司研发副总裁Stan Bruederle表示：“世界已走向无线时代。无论是在户内还是在户外，客户无时不刻在与越来越多的移动设备打交道，以享受激动人心的新式应用和娱乐。但是，随着越来越多的数据涌入这些设备，设备本身对于其性能和频率的束缚也被推至极限。现在，半导体工业已把射频集成度和性能推进到了一个前所未有的水平，确保设备制造商能够抓住新兴应用市场，而使消费者拥有功能更完善的移动设备。”

恩智浦同时也可提供QUBIC4的ASIC服务。结合我们丰富的射频和微波设计经验、大量的IP、先进的低成本射频封装技术，以及自有的晶元工厂，我们能为客户提供质量可靠的批量生产能力。

恩浦半导体模拟混合信号产品部副总裁John Croteau表示：“客户需求推动射频市场发展，其很大程度有赖于大规模生产的成本结构。QUBIC4技术虽然以硅技术为基础，但却具有砷化镓技术的性能，能够提供更强性能、更高集成度、更具成本优势的解决方案，同时能够确保出色的信号质量。此举完美展示恩智浦致力于推出新一代高性能射频技术，以支持新的移动连接设备的承诺。”

恩智浦硅锗碳 BiCMOS QUBiC4技术在发展过程中产生了三种版本：

·QUBiC4+：以硅技术为基础，非常适合5 GHz及以下频率的应用，以及中功率放大。

·QUBiC4X：第一代硅锗碳技术，非常适合频率在30 GHz及以下的应用，以及GPS等超低噪声应用。

·QUBiC4Xi：最新的硅锗碳技术，改善了Ft (> 200 GHz)，噪声系数更低，非常适合VSAT和雷达等频率在30 GHz以上的应用。