EPC推出具有50A最大输出电流、1MHz开关频率功能的开发板
时间:10-06
来源:mwrf
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面向大电流、高频的负载点应用的EPC9059开发板内含业界第一种
单个半桥式增强型氮化镓(eGaN®)集成电路,可实现更高功率密度。
宜普电源转换公司(EPC)推出半桥式开发板(EPC9059),专为大电流、高频的负载点(POL)应用而设,目的是利用氮化镓集成电路(eGaN IC)的优势,缩小功率转换系统的尺寸。该板具有30 V最高器件电压、50 A 最大输出电流。在这应用中,两个30 V 的eGaN IC(EPC2100)并联工作并配备板载驱动器,从而可以实现更高的输出电流。与硅基MOSFET相比,由于氮化镓器件具有卓越的均流能力,因此更适合并联操作。
在12 V输入电压、1 V输出、1 MHz开关频率的工作条件下,该板的总系统效率差不多达90%。 在自然对流及没有散热器的条件下,它可支持的负载可以达32 A。而在40 A重负载的条件下,与硅基DrMOS解决方案相比,效率会高出2.5%,使系统的总功率损耗差不多降低了20%。
该板展示了氮化镓技术如何针对新一代负载点转换器所需的更高的频率及更大的电流,从而实现更细小、更高效及具有更高功率密度的解决方案。
价格及供货详情
EPC9059开发板的单价为137.75美元,可立即从Digikey公司或北高智科技公司购买。
宜普电源转换公司简介
宜普电源转换公司是基于增强型氮化镓的功率管理器件的领先供应商,为首家公司推出替代功率MOSFET器件的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管,其目标应用包括 直流-直流转换器、无线电源传送、包络跟踪、射频传送、功率逆变器、光学遥感技术(LiDAR)及D类音频放大器等应用,器件性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍。
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