内含EPC的200V氮化镓场效应晶体管的开发板可实现高达30MHz的效率

宜普电源转换公司（EPC）的全新开发板帮助功率系统设计师容易并且快速地对应用于E类放大器拓扑、电流模式D类放大器拓扑及push-pull 转换器的200 V氮化镓晶体管进行评估，其工作效率可以高达30 MHz。

宜普电源转换公司（EPC）宣布推出高频、基于氮化镓晶体管并采用差分模式的开发板，可以在高达30 MHz下工作。 推出开发板的目的是帮助功率系统设计师利用简易方法对氮化镓晶体管的优越性能进行评估，使得他们的产品可以快速量产。

这些开发板专为诸如无线充电、采用E类放大器的应用而设，而且也可以支持采用低侧开关的应用，例如push-pull转换器、采用电流模式的D类放大器、共源双向开关及诸如LiDAR应用的通用高压短脉宽应用。

这些开发板内含具有200 V额定电压的氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）。这些放大器被设计为工作在差分模式，也可以再被配置而可以工作在单端模式，而且包含栅极驱动器及逻辑电源稳压器。

这三块开发板有共同的参数选择及规范，其工作负载条件包括配置可以决定最优的负载电压及电阻。以下的表格

展示出每一块开发板的各个器件参数。

产品价格及供货详情

EPC9052、9053及9054开发板的单价为158.13美元，所有产品可以从北高智科技公司或Digikey公司购买

宜普电源转换公司简介

宜普电源转换公司是基于增强型氮化镓的功率管理器件的领先供应商，为首家公司推出替代功率MOSFET器件的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管，其目标应用包括 直流-直流转换器、无线电源传送、包络跟踪、射频传送、功率逆变器、光学遥感技术（LiDAR）及D类音频放大器等应用，器件性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍。