台积32纳米测试芯片诞生

台积电技术再度迈进一大步，将于11日位在美国华盛顿特区举办的国际电子组件大会(IEDM)中发表论文，宣布其第1颗32纳米工艺测试芯片已正式通过内部功能验证，未来将可同时支持单芯片中数字、模拟电路。外界预料，以台积电每2年发展1个工艺世代的进程估算，32纳米工艺芯片已具雏形，最快可在2009年实现量产。

IEDM与ISSCC、VLSI是3个国际级半导体组件年度技术论文的发表大会，每年几乎各知名学术机构、半导体业者皆以其最新、最先进半导体设计与技术参与发表论文，从中也可一窥未来半导体产业先端技术、市场发展端倪。而2007年台湾业者以台积电踊跃参加发表数篇论文参与度最为积极，其中包括45纳米工艺SRAM测试芯片的发表，及其45纳米工艺采高介电系数材料及金属闸极为材质生产绘图芯片(GPU)的论文，更值得注意的是，台积电已跨入32纳米低功耗工艺技术。

台积电表示，这是晶圆代工制造服务领域第1个同时支持模拟及数字集成电路的32纳米工艺技术。此篇论文中同时指出，已成功试产出晶体管位单元尺寸最小的2Mb 32纳米SRAM，并且通过内部功能验证。 此一低耗电工艺芯片具有低待机耗电量晶体管、模拟及射频功能、铜导线以及低介电系数材料导线等优势，非常适合用于生产可携式产品所需的系统单芯片。

外界预料，以台积电2007年进入45纳米工艺量产时程估算，32纳米工艺最快将可望在2009年投入量产，并提供多样的包括数字、模拟、射频以及高密度内存等工艺光谱。值得注意的是，台积电这款32纳米工艺芯片并没有采用高介电系数材料及金属闸极，换句话说，将比采用高介电系数材料及金属闸极的业者更具成本竞争力。

除了台积电高度参与，董事长张忠谋亲身赴会演讲，国际级半导体大厂包括英特尔(Intel)、IBM及三星电子(Samsung Electronics)也不惶多让，也通过IEDM展现其技术实力。英特尔方面，主要是着重于其45纳米及32纳米工艺高温下采用高介电系数材料及金属闸极技术发表、及关于相变化内存和闪存技术；IBM则着重45纳米与65纳米绝缘层上覆硅(SOI)超低漏电工艺；韩国三星则发表关于40纳米内存工艺与先进半导体材料技术。