Qorvo将氮化镓晶片由4英寸扩展至6英寸以实现容量的倍增

移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中RF解决方案的领先供应商Qorvo, Inc.（纳斯达克代码：QRVO）日前宣布，已将其QGaN25氮化镓专利（GaN）扩展于碳化硅（SiC）工艺，并用以生产6英寸晶片的单片式微波集成电路（MMIC）。据估计，从4英寸到6英寸晶片的过渡，大约能使Qorvo公司的氮化镓-碳化硅生产能力增加一倍，并且对制造成本产生有利影响- 尤其对价格实惠的射频器件生产，能起到显著的推进作用。

"作为6英寸晶片单片式微波集成电路的成功典范，氮化镓-碳化硅为显著提高生产能力和成本效益铺平了道路"，Qorvo公司的基础设施和国防产品集团（IDP）总裁詹姆斯·克莱因说。

Qorvo公司表示，要将自己的QGaN25生产工艺扩展于高收益、X波段的单片式微波集成电路功率放大器（PA）上，氮化镓-碳化硅晶片从4英寸到6英寸的转变，为所有的氮化镓-碳化硅晶片向6英寸晶片生产工艺转化铺平道路，与此同时栅极长度范围也从0.15微米转变为0.50微米，覆盖了微波到毫米波的全频段（MMW）应用领域，预计在2016年将实现全面生产。

12瓦X波段的点对点单片式微波集成电路功率放大器，满足大于8％的直流和射频收益率。这个工艺的可行性，为向基于无线收发器的商业网站（BTS）、点对点广播，有线电视和国防市场，提供高效的产品奠定了基础，Qorvo说。

据Qorvo公司估计，晶片规模的扩大，巩固了其国防制造电子局认可的1A可信源的地位。在2014年，该公司就完成了国防生产法第三章的氮化镓-碳化硅项目，并成为取得生产准备等级（MRL）9的第一家公司，这表明它高超的制造工艺已经为全面生产做好准备。

美国国防部的生产准备评估（MRA），为制造、生产和能满足作战任务需求的质量要求提供了保证。这个过程确保了产品或系统从工厂到使用顺利过渡，为客户实现最高的价值，并满足全部性能、成本和容量目标。（工业和信息化部电子科学技术情报研究所唐旖浓张溪）