KLA-Tencor 针对 32 纳米光刻控制推出叠对测量系统

　　KLA-Tencor 推出最新型叠对测量系统 Archer 200，它包含一个能够改善性能的增强型光学系统，这对于帮助客户在 32 纳米设计规格节点达到双次成图光刻更严格的叠对要求。客户还可以选择在 Archer 200 上增加 KLA-Tencor 先进的散射测量技术，以在达到其特定的 32 纳米及更小线距测量要求中提供更大的灵活性。

　　作为 KLA-Tencor 持续关注先进成像技术，以推动公司叠对路线图向前发展的一部分，其工程师对 Archer 200 系统的核心光学设计进行了重大改进。与上一代 Archer 系统相比，这些开发成果让机台匹配度提高 50% 以上，产能提高 25%。匹配是叠对测量中的一个关键衡量标准，因为不同系统必须实现几乎完全相同的层对准。这个更强的光学系统还有一个重新设计的光路，能够通过更多的光，因为测量越快，产能就越高。新的相机管理算法可以加速系统作业并降低噪音，进一步提高产能和精确度。

　　32 纳米设计规格节点为叠对测量带来了两项独特挑战：更高的芯片密度及光刻双次成图。为了克服这两项挑战，客户必须增加叠对抽样，并更加高效地使用先进的叠对目标。Archer 200 让芯片制造商能够使用业界标准 AIM™ 目标，或者甚至能够被插入芯片自身内部不同位置的更小的"微 AIM (µAIM™)"目标。这种更强的叠对目标能力能够实现最大的扫描曝光机对准，由此带来最大的设备产能。

　　Archer 200 系统提供了一个可选模块，该模块具备先进的散射叠对 (SCOL™) 测量功能。此选项可实现亚纳米级总测量误差，让客户能够无需多个专属系统即可使用 SCOL 技术开始工作。

　　Archer 200 系统已被美国、欧洲及韩国的多家包含逻辑电路及内存代工厂在内的芯片制造商应用于 45 纳米生产及 32 纳米开发。

　　Archer 200 技术概要

　　双次成图光刻 (DPL) 需要更多的成图步骤，这带来更多的叠对测量以进行多次曝光。加上不断缩小的设计规格，DPL 在测量机台上容许的叠对测量预算中导致步骤功能降低。

　　重新设计的光学系统

　　Archer 200 系统的新型光学系统让成像性能得到显著改善，且产能提高，因此整个板上的规范更加严格。

　　旨在使用具备先进分析功能的 AIM 目标技术及 µAIM 目标应对 32 纳米节点挑战，实现双次成图所需的高阶叠对控制和多层测量

　　以速度提高 20% 的 0.6 秒更快移动 - 获取 - 测量 (MAM) 时间实现更高产能

　　在总测量误差 (TMU) 方面的规范严格度提高 25% 以上（1.0 纳米）

　　改善匹配度 30-50%

　　改善机台诱发位移 (TIS) 20%（0.8 纳米）

　　测量的可重复性更强

　　高阶叠对控制得到改善

　　32 纳米世代光刻中的双次成图不仅需要更高阶非线性制模，还需要更佳的场级与栅格级扫描曝光机对准及效能。最近的数据显示，从线性转变到更高阶模型后，叠对控制可以得到改善。与单独的高阶栅格校正相比，高阶栅格与场级校正令测量拥有成本显著改善。

　　散射测量叠对 (SCOL) 技术

　　标准光学成像技术在性能及总测量误差方面达到了非常高的能力；然而，基于 SCOL 的技术补充了典型的测量技术，并减轻了可能在高级制程中发生的潜在风险。但是，由于以散射测量及成像为基础的技术均显示出优异性能，因此在一种技术上使用另一种技术应该根据个案决定。光学成像与 SCOL 相结合是一种独一无二的低风险配置，具有出色的精确度，且符合 AIM 目标。

　　此结合具有最佳的投资回报 (ROI) 及拥有成本 (CoO)：最高的产能；保持记录程序 (POR) 的现有目标；缩短开发周期。

　　提供无需专属工具即可测量所有层的灵活性

　　为已安装的现有客层提供升级路径

　　能够延伸至将叠对与 OCD 测量相结合的下一代产品