爱德万推出最新多晶片封装记忆体测试系统
T5781为未来单一封装中,结合多种记忆体(含NAND|0">NAND、NOR及SDRAM|0">SDRAM)的MCP 元件,最高测试速度可达266Mhz/533Mbps。T5781ES可提供研发单位验证元件及发展新的测试程式,将测试DDR和Flash 功能和性能整合在单一平台。
增加功能的手机和行动设备,其应用处理器促使先进的MCP需求日益增加,包括更先进的功能,如高清晰度摄影机和内置的音乐播放器,是驱使记忆体元件的存储设备及扩充能力、功能和速度发展的主要因素。手机更清薄短小、功能更多,使记忆体元件不断小型化,包含多个不同的记忆体MCP元件的单一封装更被广为运用。
以往,MCP测试需要为特定类型的记忆元件使用特定测试系统,如针对部分NAND的内存元件,必须使用专门测试NAND的系统进行测试,分步测试横跨数个插件,使测试处理过程十分昂贵。现在DDR-DRAM频宽线路流量被纳入MCP,运作速度超过100 Mhz、可测试超高速元件的MCP,和充分单片Flash和DRAM的功能测试系统需求趋旺,爱德万的T5781和T5781ES可降低测试成本,满足技术需求。
T5781记忆测验系统对高速性能的MCP测试,全球名列前茅,非常适合测试下一代产品,可在单一制程中有效率测试多种产品,爱德万设计了适合所有类型记忆体的单一测试系统,Tester-per-site 架构效率很高,每个测试site包括独立的电源和功能,每颗元件能被独立控制和测试,大幅减少测试时间。T5781及T5781ES的并行测试能力各为512 devices、32devices 以上;最高测试速度均为266 Mhz/533Mbps,测试头各为1 station。
- 惠瑞捷V5000e缩减存储器测试开发时间(03-02)
- 英特尔、美光联手推出25纳米NAND半导体行业最精密、最先进的制程技术(01-02)
- 美光科技在中国启动新封装测试工厂(02-23)
- NAND Flash控制芯片出现衰退(07-04)
- iSuppli公司发布2008年半导体厂商初步排名(11-02)
- 2009年半导体市场下滑幅度小于预期(10-24)