恒忆PCM的特征及性能
时间:10-27
来源:与非网
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恒忆PCM集结了NOR、NAND和RAM的最佳特性,简化了存储器产品,而且单个芯片具备更多性能。 下面表格归纳了这些特征。
可变位性
与RAM 或EEPROM一样,PCM具有可变位特性。 闪存技术在变更信息时需要单独擦除步骤。 而存储在具有可变位特性存储器中的信息能够从1到0或从0到1进行转换,而不需要单独擦除步骤。
非易失性
与NOR闪存和NAND闪存一样,PCM具有非易失性。 RAM需要连续的供电电源,例如备用电池系统, 来保存信息。 恒忆在多兆位PCM阵列上所进行的长期数据保存方面的早期测试结果表现很好。
可变位性
与RAM 或EEPROM一样,PCM具有可变位特性。 闪存技术在变更信息时需要单独擦除步骤。 而存储在具有可变位特性存储器中的信息能够从1到0或从0到1进行转换,而不需要单独擦除步骤。
非易失性
与NOR闪存和NAND闪存一样,PCM具有非易失性。 RAM需要连续的供电电源,例如备用电池系统, 来保存信息。 恒忆在多兆位PCM阵列上所进行的长期数据保存方面的早期测试结果表现很好。
读取快速
与RAM和NOR闪存一样,此技术具有快速随机存取时间的特性。 该特性使得存储器可以直接进行代码执行,无需临时复制到RAM。 PCM的读取等待时间可以与single bit per cell NOR闪存相媲美,并且读取带宽与DRAM不相上下。
写入/擦除快速
PCM能够实现在更短的等待时间内,比NAND更快的写入速率。 与无单独擦除步骤(即可变位特性)相结合,这些特性实现了比NOR和NAND更快速的写入性能。
尺寸缩变性
尺寸缩变性是PCM与众不同的第五个特征 NOR和NAND均采用浮动栅存储结构,其尺寸难以缩小变化。 当闪存中存储圆晶减少时,存储在浮动栅上的电子数量也随之减少。据估计,45纳米的NAND闪存在"1"和"0"之间进行描述时使用的电子不到100个。 45纳米以下,电子数量将持续出现较高的位错误率和较低的可靠性。 因为PCM不存储电荷(电子),所以并不存在电荷存储多少的问题。事实上是更小的光刻尺寸改善了PCM技术!
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