EPC公司的全新eGaN功率晶体管突破了硅器件成本速度壁垒
全新eGaN®功率晶体管系列以MOSFET器件的价格实现更优越的性能、更小的尺寸及高可靠性。
宜普电源转换公司宣布推出EPC2035(60 V)及EPC2036 (100 V)eGaN功率晶体管,专为在价格方面竞争而设计并且在性能上超越硅器件。价格是封阻可替代硅MOSFET器件的氮化镓(GaN)晶体管的普及化的最后一个壁垒,而价格已经下降。这些全新产品可以替代硅半导体及为业界续写摩尔定律的辉煌。
我们用作比较的功率MOSFET器件具有可比的最高导通电阻额定值((RDS(on))及相同的最高击穿电压额定值((VDS(max))。此外,以下的数据表比较了显示开关速度的数据,包括QOSS、QGD及QG,而较低的数值代表器件具备更优越的性能。
此外,与等效MOSFET器件相比,EPC2035 及EPC2036器件的电容小很多。我们也比较了氮化镓及MOSFET器件的面积-- EPC2035/EPC2036的面积大约是等效MOSFET的四十分之一。
功率系统工程师首次可以采用氮化镓元件设计出具备更低的价格、更优越的开关速度及更小的尺寸的最终产品。
开发板
为了简化对这个全新eGaN FET产品系列进行评估,EPC推出开发板,使得工程师可以容易对EPC2035及EPC2036在"电路中"的性能进行评估。开发板的尺寸是2" x 1.5",采用半桥拓扑并包含eGaN FET、板载栅极驱动器、电源及旁路电容。开发板包含所有重要元件并布局为可以实现最高的开关性能。
开发板型号 | VIN | VOUT | IOUT | 所采用的eGaN FET |
EPC9049 | 40 | 60 | 4 A | EPC2035 |
EPC9050 | 60 | 100 | 2.5 A | EPC2036 |
产品价格及实时供货详情
EPC2035功率晶体管在批量为一千片时的单价为0.36美元、一万片的单价为0.29美元。EPC2036晶体管在批量为一千片时的单价为0.38美元、一万片的单价为0.31美元。EPC9049及EPC9050开发板的单价为104.4美元。所有产品皆可以立即透过北高智科技公司及Digi-Key公司购买。
宜普电源转换公司简介
宜普公司(epc-co.com.cn)是基于增强型氮化镓的功率管理器件的领先供应商,为首家公司推出替代功率MOSFET器件的硅基增强型氮化镓(eGaN®)场效应晶体管 直流- 直流转换器、 无线电源传送、 包络跟踪、射频传送、太阳能微型逆变器、 光学遥感技术(LiDAR) 及 D类音频放大器 等应用,器件性能比最好的硅功率MOSFET高出很多倍。
商标
eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普电源转换公司的注册商标。
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