M/A-COM推出15W碳化硅基氮化镓3.5GHz脉冲功率晶体管

高性能射频、微波和毫米波产品的领先供应商美国M/A-COM技术解决方案有限公司日前宣布，推出民用和军事雷达脉冲应用的碳化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）脉冲功率晶体管MAGX-000035-015000和MAGX-000035-01500S。

MAGX-000035-015000和MAGX-000035-01500S是采用金进行了金属化处理的SiC基GaN射频功率晶体管，满足各种射频功率放大器的应用。该晶体管提供典型的17W峰值输出功率、15.5dB功率增益和63%的效能。这些高性能晶体管采用最先进的芯片制造工艺，并提供高增益、高效能、高带宽，以及多个倍频程带宽的耐用性，满足苛刻的应用需求。

"该款新的15W峰值GaN功率晶体管在宽频率范围内提供了脉冲式驱动器和功率应用领域通用的和高性能的解决方案。"MACOM公司产品经理Paul Beasly表示，"在L波段和S波段脉冲雷达应用领域，该器件可以作为MACOM公司更高功率GaN晶体管的理想驱动级。"

该晶体管工作在直流到3.5GHz的频率范围，具有高击穿电压和600年的平均无故障时间（MTTF）。该器件采用增强型带凸缘（Cu/W）和无凸缘（Cu）陶瓷封装，具有出色的散热性能。

MAGX-000035-015000和MAGX-000035-01500S脉冲功率晶体管现可供样。