M/A-COM推出适用于L波段脉冲雷达的GaN高电子迁移率晶体管

高性能射频、微波和毫米波产品的领先供应商美国M/A-COM技术解决方案有限公司日前宣布，推出一款新的适用于L波段脉冲雷达的碳化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）MAGX-001214-650L00。

MAGX-001214-650L00具有650W的峰值功率，并且具有典型的19.5dB增益和60%的效率。该器件还具有高击穿电压，可在50V或更为极端的负载失配条件下可靠、稳定地运行。MAGX-001214-650L00组装在一个高性能陶瓷法兰封装内，经过了M/A-COM公司严格的资格和可靠性测试。

"MAGX-001214-650L00是高脉冲功率GaN技术领域的佼佼者，它具有650W峰值输出功率并且具有出色的增益、效率和可靠的性能。"M/A-COM公司产品经理Paul Beasly表示。

该器件的工作频率在1200~1400MHz范围内，并且具有530万小时的平均无故障时间。

MAGX-001214-650L00高电子迁移率晶体管现可供样。