IBM为RF芯片提供新的SOI和SiGe工艺代工服务

IBM公司将为客户提供经改进的射频（RF）绝缘体上硅（SOI）和硅锗（SiGe）工艺代工服务，以扩大在RF芯片代工市场的占有率。

新的SOI工艺是130nm/180nm混合工艺，称为7SW SOI，性能比前一代工艺（7RF SOI）提升30%，同时芯片尺寸缩小30%。IBM公司在过去三年中已生产了将近70亿颗SOI芯片，主要应用于手机和无线通信基站。

新的SiGe工艺是90nm工艺，称为9HP，可使设计人员充分利用新出现的E波段（70～100GHz）带来的优势，通过开发新的频段来更好地管理海量数据。能支持高达360GHz的最高振荡频率(Fmax)和300GHz的截止频率(Ft)。适用于汽车雷达、光通信链路、蜂窝骨干网路芯片组、测试和仪表、军事和航空航天等。