EPC推出采用具亚纳秒范围内开关速度的氮化镓晶体管
宜普电源转换公司(EPC)推出采用半桥式拓扑并配备一个板载栅极驱动器的开发板,可简化对超高频、高性能的EPC8000氮化镓场效应晶体管(eGaN®FET)系列进行评估。
EPC公司推出全新开发板系列(型号由EPC9022 至EPC9030),可简化对超高频氮化镓(eGaN)功率晶体管EPC8000产品系列进行评估。
由于 EPC8000系列 的高频氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)在亚纳秒范围内开关,因此适用于10 MHz频率以上的硬开关应用,使得功率及射频晶体管的分界线变得模糊!我们设计它们工作在10 MHz频率下。即使在10 MHz以上时,这些产品也具有非常高的小信号射频性能,并且在低吉赫兹频率范围内具有高增益,使得这些器件成为射频应用中极具竞争力的一个选择。对于需要具极速开关性能的功率晶体管的应用如无线电源、采用65 V及100 V器件的包络跟踪等应用,它们是理想器件。
EPC8000 系列的产品包括具有125 mΩ至530 mΩ阻抗值及40 V、65 V及100 V阻隔电压能力可供选择。
为了简化对高频、高性能的氮化镓场效应晶体管进行评估,宜普公司为这个全新产品系列内的每一个器件提供开发板。每块开发板是块2英寸x1.5英寸单板,内含两个氮化镓场效应晶体管,使用半桥式配置,最低开关频率为500 KHz。板上集成了所有关键组件以实现最高频开关性能。此外,电路板上还备有多个探测点,以便测量简单波形及计算效率。
EPC8000 产品系列的规范及相关的开关板
eGaN FET Part Number | VDS (V) | RDS(on) Max (mΩ) (VGS = 5 V, ID =0.5 A) | Peak ID Min (A) (Pulsed, 25 °C, Tpulse = 300 µs) | Development Board |
EPC8004 | 40 | 125 | 7.5 | EPC9024 |
EPC8007 | 40 | 260 | 6 | EPC9027 |
EPC8008 | 40 | 325 | 2.9 | EPC9028 |
EPC8009 | 65 | 138 | 7.5 | EPC9029 |
EPC8005 | 65 | 275 | 3.8 | EPC9025 |
EPC8002 | 65 | 530 | 2 | EPC9022 |
EPC8010 | 100 | 160 | 7.5 | EPC9030 |
EPC8003 | 100 | 300 | 4 | EPC9023 |
给评估使用的EPC8000系列器件可供选购,它们以两件及十件器件包装,价钱由23美元起,可通过Digikey公司购买。
EPC9022至EPC9030型号的开发板的单价为150美元,也可以通过Digikey公司购买。
宜普电源转换公司简介
宜普公司是基于增强型氮化镓的功率管理器件的领先供应商,为首家公司推出替代功率MOSFET器件的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管,其目标应用包括直流-直流转换器、无线电源传送、包络跟踪、射频传送、太阳能微型逆变器、光学遥感技术(LiDAR)及D类音频放大器等应用,器件性能比最好的硅功率MOSFET高出很多倍。
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