恩智浦推出超高性价比TD-LTE F+A 8通道LDMOS晶体管

恩智浦半导体(NXP Semiconductors N.V.)（纳斯达克代码：NXPI）近日宣布，针对TD-LTE F+A 8通道市场，推出超高性价比解决方案BLP8G21S-160PV。该方案主要应用于1880MHz-2025MHz TD-LTE 基站多载波宽带射频功率放大器。

BLP8G21S-160PV是针对1880MHz-2025MHz宽带基站应用而设计的160W LDMOS晶体管。具体特性和优势包括：
·针对1880MHz-2025MHz宽带应用设计
·VBW增强管腿设计，以增强视频带宽
·极好的健壮性设计
·高效率
·极好的热稳定性
·能简化应用的内匹配设计
·高增益
·集成ESD保护
·满足RoHS要求

该方案采用填充式塑封封装，以保证对低成本的需求；同时保证良好的射频性能和可靠性。