意法半导体推出全新无线产品RF前端技术平台

-优化的射频硅绝缘层金氧半晶体管组件（SOI）制程大幅降低4G及其它无线高速通信多频带无线电芯片的尺寸-

随着消费者对高速无线宽带网络的需求迅速增长，智能手机和平板电脑等设备需要采用更复杂的电路。为满足这一市场需求，提高移动设备射频（RF，radio frequency）前端的性能，并缩减电路尺寸，横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供货商意法半导体（STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码：STM）发布全新、优化先进制程。

无线设备RF前端电路通常采用独立的放大器、开关和调谐器。随着4G移动通信和Wi-Fi（IEEE 802.11ac）等新高速标准开始使用多频技术提高数据吞吐量，最新的移动设备需要增加前端电路。现有的3G手机可支持5个频段，而下一代4G LTE标准3GPP 可支持高达40个频段。传统的离散组件会大幅增加设备尺寸，而意法半导体的新制程H9SOI_FEM可制造并整合全部前端功能模块。

这项制程是H9SOI硅绝缘层金氧半晶体管组件制程的进化。意法半导体于2008年成功研发了这一具突破性的H9SOI技术，随后客户运用这项技术研发了4亿多颗手机和Wi-Fi RF开关。凭借在这一领域的研发经验，为研发整合前端模块，意法半导体优化了H9SOI制程，推出了H9SOI_FEM，为天线开关和天线调谐器提供业界最佳的质量因子（Ron x Coff ＝207fs ）。意法半导体同时投资扩大产能，以满足客户的最大需求。

从商业角度来看，高速多频智能手机的畅销拉动市场对RF前端组件（特别是整合模块）的需求迅速增长，根据Prismark的分析报告显示，智能手机的RF前端组件数量大约是入门级2G/3G手机的三倍，目前智能手机年销量超过10亿台，增长速度约30%。此外，OEM厂商要求芯片厂商提供更小、更薄、能效更高的组件。意法半导体看好离散组件以及整合模块的市场前景，如运用意法半导体新推出的最先进制程H9SOI_FEM整合功率放大器和开关的RF模块和整合功率放大器、开关和调谐器的模块。

意法半导体混合信号制程产品部总经理Flavio Benetti表示，"H9SOI_FEM专用制程让客户能够研发最先进的尺寸，相当于目前前端解决方案的二分之一或更小的前端模块，此外，我们还开发出一个简化的供货流程，可大幅缩短供货周期，提高供货灵活性，这对市场上终端用户至关重要。"

目前意法半导体正与客户合作使用H9SOI_FEM开发新设计。预计2013年年底投入量产。

技术细节：

H9SOI_FEM是一个闸宽0.13μm的1.2V和2.5V双闸MOSFET技术。与制造RF开关等离散组件的传统SOI制程不同，H9SOI_FEM可支持多项技术，如GO1 MOS、GO2 MOS和优化的NLDMOS，这些特性让H9SOI_FEM可支持单芯片整合RF前端的全部主要功能，包括RF开关、低噪音放大器（Low Noise Amplifier，LNA）、无线多模式、多频功率放大器（Power Amplifier，PA）、双讯器（diplexer）、RF耦合器、天线调谐器和RF能源管理功能。

GO1 MOS是高性能LNA首选技术，能够承受极低的噪音系数（1.4dB @ 5GHz），提供60GHz的阈频率（Ft），为5GHz设计提供较高的安全系数。

GO2 CMOS和GO2 NMOS 被广泛用于研发RF开关，让意法半导体的制程为天线开关和天线调谐器提供业界最好的质量因子（Ron x Coff＝207fs）。

GO2高压MOS可整合功率放大器和能源管理功能。在饱合低频带GSM功率条件下，优化的NLDMOS技术使功率放大器的Ft达到36GHz，开关效率达到60%。关于能源管理，PLDMOS技术的击穿电压（breakdown voltage）为12V，可直接连接电池。

必要时在三层或四层铝和厚铜层上沉积，还可提高整合被动组件的性能。

H9SOI_FEM既适用于重视低成本和高整合度的低阶市场，又适用于高阶智能手机市场。高阶产品通常要求整合多频段，不仅可支持2G、3G和4G标准，还可支持其它的无线连接标准，如蓝牙、Wi-Fi、GPS和用于非接触式支付的近距离无线通信（NFC，Near Field Communication）