英飞凌与格罗方德共同开发及生产40纳米嵌入式闪存制程技术

英飞凌科技与格罗方德公司 (Globalfoundries) 宣布共同开发并合作生产 40 纳米 (nm) 嵌入式闪存 (eFlash) 制程技术。这项合作案将着重于以英飞凌 eFlash 芯片设计为基础的技术开发，以及采用 40nm 制程的车用微控制器及安全芯片的制造。新一代 40nm eFlash 微控制器芯片将在格罗方德不同的据点生产，初期于新加坡，后续则将转移到位于德国德勒斯登的厂房。

英飞凌董事会成员 Arunjai Mittal 表示，"采用 40nm 制程结构的新一代嵌入式闪存微控制器，将进一步提升我们在汽车及芯片与安全防护市场的竞争优势。我们相信格罗方德将以他们优异的制造经验以及分布于不同地区的据点，满足英飞凌在质量、架构安全性和企业永续性等方面的严格需求。"

格罗方德执行长 Ajit Manocha 表示，"英飞凌选择格罗方德做为其 40nm 嵌入式闪存技术节点的晶圆代工伙伴，是对我们能由跨区域的多间晶圆厂房支持单一代工厂解决方案 (one-foundry-solution) 独特能力的肯定。我们致力于提供领先的技术和制造能力，满足英飞凌的业务所需。我们期盼能与英飞凌建立长远的合作关系，协助英飞凌在这个变化快速的产业获致成功。"

这项与格罗方德的合作案符合英飞凌在 65nm 以下的 CMOS 技术采用共同技术研发的策略。安全芯片预计将于 2015 年下半年进行制程及产品验证，汽车微控制器则预计于 2017 年上半年开始制造。

英飞凌及格罗方德在开发及制造范畴有着长期的合作关系，其中包括 CMOS 低功率手机产品的共同开发及制造。