高通好忧桑，三星、英特尔4G基带芯片已赶上？

在2017年世界行动通讯大会(Mobile World Congress；MWC)登场前夕，英特尔(Intel)与三星电子(Samsung Electronics)分别发表了最新的4G数据晶片，试图挑战高通(Qualcomm)主宰的行动晶片厂。而两家厂商的进攻对高通而言，则是喜忧参半的消息。

根据TheStreet报导，几乎垄断4G LTE与3G EV-DO数据市场的高通，以IP授权绑架晶片的手段已开始遭到苹果(Apple)等厂商的反抗。因此英特尔与三星推出新的晶片产品，正好给了高通在面对反垄断诉讼时一个开脱的说词。然而另一方面，竞争对手的动作对近来面临困境的高通行动晶片部门，又可能造成更大的冲击。

英特尔宣布推出名为XMM 7560的2G/3G/4G数据晶片，可支援最大1Gbps下载与225 Mbps上传速度。XMM 7560采英特尔14奈米制程，比起前一代采28奈米制程的XMM 7480，以及部分iPhone 7/7-Plus使用的XMM 7360更加先进。除了最大下载速度外，XMM 7560的多重载波聚合(Carrier Aggregation)也有大幅的提升。

XMM7560是第一个可支援3G EV-DO网路的英特尔数据晶片，而目前包括Verizon、Sprint、中国电信(China Telecom)等多家电信厂商都仍在使用3G EV-DO网路。由此看来，XMM7560很有机会协助英特尔从高通手中抢下更多iPhone市场。

Susquehanna预测，如果苹果为了降低对高通晶片的依赖，而全面采用英特尔晶片，那么高通将可能损失10亿至14亿美元的年营收，而数据晶片平均价格较低的英特尔，则有机会取得800万至11亿美元的年营收成长。

三星即将推出的Exynos 8895行动SoC配备8核心处理器，并支援1Gbps的最大下载速度。Exynos 8895与高通旗舰SoC Snapdragon 835一样，都采三星最先进的10奈米制程。Exynos 8895的多重载波聚合也比前一代Exynos 8890有所提升。

Snapdragon 835与Exynos 8895预计都将使用在三星Galaxy S8上。高通之所以选择三星而非以往的台积电生产其最新旗舰SoC，可能就是与三星协商后的结果。然而三星的4G数据技术，也对高通造成了不小的威胁。三星最终可能会减少高通SoC的使用，或以此做为议价的筹码。

高通最新发表的Snapdragon X20，拥有1.2Gbps最大下载速度与5x多重载波聚合，但要等到2018年上半才会开始出货，因此将不会使用在2017年推出的苹果或三星旗舰机上。

高通MSM晶片部门在2016年第4季的出货量，较前1年少了10%，并可能在2017年第1季下跌2%至13%。苹果与英特尔的结盟、智慧型手机市场成长减缓，以及联发科、展讯等亚洲低价晶片的竞争，都对高通晶片部门造成不小压力。

除了功耗、尺寸上较820进步外，Snapdragon 835也瞄准了智慧型手机、平板之外的无人机、VR/AR头盔、笔记型电脑等应用，因此被看好带动高通在2017年的发展。

另外，高通还准备投入470亿美元买下恩智浦半导体(NXP Semiconductor)。此举将能减少公司对行动晶片业务的依赖。而英特尔打算缩减行动研发预算，也给了高通稍微喘口气的机会。