台积电：我们已经为IoT准备好啦！

大家都在讨论14nm，16nm，甚至是10nm实现如何重要，其实旧的流程也非常重要。事实上，16nm可能最终会比28nm要便宜，但是目前28nm非常吃香，不仅是比以前的任何流程都便宜（这确实是真的），但是也比以后的任何流程要便宜（对半导体行业来说这是一个全新的领域）。如果你正在为智能手机设计一个应用处理器，那么你将会尽快移到新的节点。但是其他市场，物联网领域的特殊产品不需要这些，它需要低功耗、数字/模拟/射频微波集成等。这就在过程几何技术前沿催生了新的机会。

随着智能手机的爆炸式增长的结束，物联网有可能在未来几年成为消费半导体领域的带动增长点。PC几乎持平，智能手机增长点主要在低端市场与高端市场的替代时期。

台积电已经有了超低功耗版本的成熟流程。目前的超低功耗版本有0.18nm和90nm已经大规模生产，50nm，45nm和28nm ULP流程将在2015年度过风险期。还有集成RF和闪存。这些针对物联网设计，尤其需要低功耗和可连接性的产品。一些物联网应用（例如汽车电子）对功耗的要求并不是那么敏感，因为它具有大电池，但是其它应用，例如可穿戴设备，就需要长时间待机，有一些测试需要产品的整个生命周期中都有电或者从周围环境中清除电能。

来说说流程的细节。首先他们在低电压模式下运行，这可以减小备用和有功功率。他们在0.5V到0.7V之间进行了优化。定制eHVT器件能够在备用电源方面降低70%的损耗，然而它们同样工作在较高的电压范围内，如：1.1V到1.2V之间。

大部分物联网设计似乎并不真的需要高性能也不需要亿万级晶体管，因为这样会消耗过多的能源。但是他们需要低功耗的连接，尤其是在备用电源方面，在这里他们会消耗掉所有能量和RF。（他们需要通过蜂窝连接，WiFi，蓝牙或者其它的无线接口）。

因此底线是，新的流程是可以和外部现有生态系统在28HPC进行兼容。但是操作电压可以降低20%，活跃能量超过30%，备用能量超过70%，并且有构建SoC的能力，包括RF和嵌入式flash，这适用于物联网市场。

更多关于物联网的资讯，欢迎访问 物联网专区