NAND闪存芯片产业竞争激烈：SanDisk-东芝联盟凭借三位元技术扭转战局

最近NAND闪存芯片产业内部的竞争激烈程度已经到了白热化的阶段，今年一月份，Intel-镁光联盟刚刚宣布将在今年量产25nm制程NAND闪存芯 片，其对手SanDisk-东芝联盟便随后以牙还牙，宣布将于今年下半年推出基于24nm制程的NAND闪存芯片产品。

据SanDisk公司展示的产品发展路线图显示，SanDisk-东芝联盟推出的24nm制程NAND闪存芯片将可适用于两位元存储单元设计和三位元存储单元设计。而Intel-镁光联盟的25nm制程则仅可适用于两位元存储单元设计。

Avian Securities市调公司的分析师Dunham Winoto根据SanDisk公司上周举办的财报会议内容总结称："今年10月份，预计SanDisk公司32nm制程NAND闪存芯片的产能将提升70%，24nm制程产品的量产则将于下半年底开始。而镁光公司34nm制程芯片的产能则将于今年第二季度提升100%，并将于同期开始量产25nm制程NAND闪存芯片。可见镁光在今年三四两个季度将在缩减制程方面保持领先，不过在三位元存储技术方面则较为落后。"

另外，SanDsik-东芝联盟与Intel-镁光联盟的NAND闪存芯片技术发展策略也存在鲜明的区别，Winoto指出："SanDisk在会上反复强调只有将三位元存储技术与制程缩减技术结合在一起，才是最理想的降成本技术方案。而镁光联盟则走的是更为强调制程尺寸缩减，而较为忽视三位元存储技术的路线。"


据这位分析师表示，造成两家策略差异的原因主要有二，其一是镁光的产品多专注于嵌入式NAND闪存应用；其二是SanDisk联盟在三位元存储技术方面所拥有的专利技术数量更多。

另外，SanDisk还在这次财报会议上将今年的资本支出金额由原来预计的7亿美元提升到了9亿美元，比去年的3.7亿美元增加了不少。不过仍低于2006-2008年间每年平均投入16亿美元资本金的水平。

这次增加资本支出预算的原因主要是SanDisk准备提升其位于日本的Fab4工厂的产能，他们计划将这间工厂的月产能由12.5万片提升到16.5万片。另外，会上SanDisk公司还表示今年NAND闪存市场的需求将非常旺盛。

谁才是NAND闪存芯片工业的技术领跑者？

Intel-镁光联盟曾一度在NAND闪存芯片工业中占据技术老大的地位，他们最近刚刚正式推出了基于34nm制程的NAND芯片产品。两家公司建有一家名为IM Flash的NAND闪存合资厂。

不过好景不长，SanDisk-东芝联盟很快便宣布开发出了32nm制程NAND闪存芯片，随后三星公司也推出了30nm制程的闪存芯片产品，海力士公司则随后宣布将推出26nm制程的NAND闪存芯片产品。而Intel-镁光联盟则最近宣布将推出25nm制程产品，重新夺回了制程之王的称号。

那么，现在，谁又是领跑者呢？Web-Feet市调公司的分析师Alan Niebel表示："如果你一定要从数字上分出个高下的话，那么在24nm制程推进速度方面，SanDisk-东芝联盟是领先者。不过在24nm-27nm级别制程的范围内，其领先幅度是很微小的，毕竟各家厂商关键尺寸的测量方法稍有区别。SanDisk将首先推出24nm制程双位元存储技术，并会很快推出三位元技术。不过最重要的是这些产品中的哪一款将首先被推向市场。从这个角度来看，IM Flash公司是首家推出25nm制程两位元NAND闪存商用化芯片的厂家；而SanDisk-东芝则会是首家推出三位元存储技术NAND闪存商用化芯片的厂家，负责生产这种芯片的工厂将主要是其旗下的Fab3工厂，而Fab4也将生产一部分这样的芯片。"

发布者：博子