科锐发布Verilog-A无线射频器件模型 加速GaN在4G/LTE领域的采用

2012年7月19日，科锐公司（Nasdaq: CREE）宣布推出适用于 GaN 无线射频器件的全新 Verilog-A 非线性器件模型，该模型专为安捷伦的 ADS 以及 AWR 的 Microwave Office 等领先无线射频设计平台而研发。全新器件模型能够支持更为复杂的电路仿真，包括最新宽带调制包络分析和4G 蜂窝通信的多模式无线射频功率放大器。

科锐无线射频（RF）及微波部门总监 Jim Milligan 表示："新型器件模型能够使得无线射频设计工程师通过谐波平衡预测非线性性能、进行瞬态分析以及使用真实环境中的任意调制信号进行科锐 GaN HEMT 器件的包络模拟。Verilog-A 模型和包络模拟器能够帮助设计师研发高效率电路，如 Doherty 放大器，从而改进相邻通道功率比、频谱再生以及误差矢量幅度，同时评估放大器的性能是否满足 LTE 资源配置的光谱需求。新型模型还具有多核处理器的优势，因此可大幅减少模拟时间。"

科锐射频业务发展部经理 Ray Pengelly 表示："瞬态分析能够深入洞察开关模式功率放大器的构造，这种放大器也可以直接通过数字信号驱动。并且与 Chireix 反相相位法相结合，效率证实可超过70%。"

关于科锐（CREE）

科锐成立于1987年，是美国上市公司（1993年，纳斯达克：CREE），为全球LED外延、芯片、封装、LED照明解决方案、化合物半导体材料、功率器件和射频于一体的著名制造商和行业领先者。科锐LED 照明产品的优势体现在氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）等方面独一无二的材料技术与先进的白光技术，拥有1,300多项美国专利、2,900多项国际专利和近390项中国专利（以上包括已授权和在审专利），使得科锐LED产品始终处于世界领先水平。科锐照明级大功率LED，具有光效高、色点稳、寿命长等优点。科锐在向客户提供高质量、高可靠发光器件产品的同时也向客户提供成套的LED照明解决方案。科锐碳化硅金属氧化物半导体场效应管开关器件（MOSFET Switch）的导通电阻小、温度系数稳、漏电流低、开关时间短，以及科锐碳化硅肖特基功率二极管（Schottky Power Diode）零反向恢复电流等特性，使得科锐碳化硅功率器件特别适用于高频、高效、高功率密度、高可靠性需求的电力电子系统。