恩智浦推出全球首款2mmx2mm、采用可焊性镀锡侧焊盘的MOSFET

转换功率用的空间节约型器件以及负载开关提升了恩智浦超小型低导通电阻RDS(on) DFN MOSFET产品的组合

中国上海，2012年6月14日讯——恩智浦半导体（纳斯达克代码：NXPI）推出业内首款2mmx2mm、采用可焊性镀锡侧焊盘的超薄DFN（分立式扁平无引脚）封装MOSFET。这些独特的侧焊盘提供光学焊接检测的优势，与传统无引脚封装相比，焊接连接质量更好。

即将面世的新型PMPB11EN和PMPB20EN 30V N沟道MOSFET是采用恩智浦DFN2020MD-6 (SOT1220) 封装的20多类器件中率先推出的两款产品。这两款MOSFET的最大漏极电流(ID)大于10A，10V时的超低导通电阻Rds(on)分别为12mOhm（典型值）和16.5mOhm（典型值），因此导通损失小，功耗更低，电池使用寿命更长。

新型DFN2020 MOSFET高度仅为0.6毫米，比当今市场上大多数2mmx2mm的产品更加轻薄，是智能手机和平板电脑等便携应用设备中超小型负载开关、电源转换器和充电开关的理想之选。该款MOSFET还适用于其他空间受限应用，其中包括直流电机、服务器和网络通信以及LED照明，在这类应用中功率密度和效率尤为关键。DFN2020的封装尺寸仅为标准SO8封装的八分之一，提供与其相当的热阻，能够代替具有相同导通电阻Rds(on)值范围的许多大型MOSFET封装，如SO8封装、3mmx3mm封装或TSSOP8封装。

新型MOSFET提升了恩智浦超小型无引脚MOSFET产品线，截止到今年年末将有超过60种封装，封装尺寸为2mmx2mm或1mmx0.6mm。如今，恩智浦是超小型低导通电阻Rds(on) MOSFET的主要生产商，提供电平场效应晶体管(FET)和双极晶体管技术。

关于恩智浦半导体

恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V. (Nasdaq: NXPI) 以其领先的射频、模拟、电源管理、接口、安全和数字处理方面的专长，提供高性能混合信号（High Performance Mixed Signal）和标准产品解决方案。这些创新的产品和解决方案可广泛应用于汽车、智能识别、无线基础设施、照明、工业、移动、消费和计算等领域。公司在全球逾25个国家都设有业务执行机构，2011年公司营业额达到42亿美元。