三星宣布量产新型30nm制程NAND闪存芯片

三星近日宣布将开始量产两款30nm制程NAND闪存芯片产品。其中一种闪存产品采用类似DDR内存的双倍传输技术，据三星公司宣称，这种产品的读取带宽是传统闪存芯片的3倍左右，单颗这样的DDR MLC闪存芯片数据传输峰值带宽可达133Mbps，而旧款闪存芯片则只能达到40Mbps的水平。

即便将这种芯片应用到闪存卡中，也能够保持60Mbps的持续读取速率，同样比传统闪存芯片的17Mbps快三倍左右。这种闪存芯片产品既适合智能手机，便携多媒体播放器等产品，也同样适用于SSD硬盘等设备。

另外一款三星新推出的闪存芯片产品，则是采用每个基本存储单元可存储3位数据技术的3位记忆型闪存芯片产品，比常用的2位记忆型闪存的单位容量多50%。不过三星这款产品目前主要面向移动存储设备，而不是高速存储设备。

三星这种3位闪存芯片初期将主要应用在其8GB microSDHC闪存卡上，随后会将其逐步推广到更大容量的产品如USB闪盘等应用场合中去。不过三星并没有透露其DDR型闪存的应用对象，只称目前只有"部分主要的OEM厂商"在使用这种DDR型闪存芯片。

据猜测，三星所谓的"部分主要的OEM厂商"也许包括苹果在内。苹果一直是三星重要的客户之一，他们经常抢先在自己的iPhone/iPod等产品中启用三星最新技术的闪存芯片产品。

编辑：博子