联芯科技将于明年二季度推出40纳米LTE芯片

    10月25日消息，大唐电信集团下属全资子公司联芯科技在参加由国际电信联盟（ITU）主办的“2011年世界电信展”期间透露，该公司将于2012年第二季度推出40纳米LTE芯片。

    据了解，联芯科技即将推出的40纳米LTE芯片可支持TD-LTE/FDD LTE/TD-SCDMA/GGE多模自动切换，支持下行150兆/秒，上行50兆/秒的数据吞吐率。在下一阶段，联芯科技的芯片产品还将向28纳米或更高工艺演进。

    在“2011年世界电信展”期间，联芯科技展示了覆盖TD-LTE双模终端、TD智能终端等多个领域的自研芯片及解决方案产品。其中，DTivy L1760 TD-LTE/TD-HSPA双模终端解决方案，是目前业内首款TD-LTE/TD-HSPA双模基带处理器芯片，目前采用65纳米工艺。据悉，基于该芯片及方案的数据卡产品正在参加工信部和中移动的LTE规模试验测试。

    在此之前，另一家国内芯片厂商展讯通信的董事长兼CEO李力游透露，展讯有望在今年年底前推出基于40纳米技术的LTE芯片。据悉，展讯已于2011年1月推出全球首款采用了40纳米技术的商用TD-HSPA/TD-SCDMA多模通信芯片。