IBM展示32纳米High-K制程 性能及功耗表现良好

IBM及其技术联盟厂商，包括英飞凌(Infineon)、意法半导体(ST)、特许半导体(Charter Semiconductor)、飞思卡尔(Freescale)、三星(Samsung)和东芝(Toshiba)日前宣布，已在IBM位于美国纽约州East Fishkill的300mm晶圆厂，成功展示了32nm High-K金属栅极制程技术，号称可提供在性能与耗电上超越其他同业的解决方案。

　　据该联盟表示，其32nm制程High-K金属栅极技术与45nm制程相比，能够在相同的电压下将性能提高35%，同时能降低30%~50%的功耗。此外根据测试结果，该技术应用于业界标准微处理器时，可比传统的技术(Poly/SiON)在相同的制程节点上提升40%的性能。

　　新技术预计可在2009下半年供IBM与其联盟伙伴应用，而其客户则能立即使用该制程进行组件设计。

　　晶圆大厂台积电(TSMC)也悄悄地进行了High-K金属栅极技术的研发，但尚未公布推出的时间表;此外其他业者包括富士通(Fujitsu)、中芯国际(SMIC)与联电(UMC)，也在各自开发High-K金属闸极制程解决方案。

　　迄今仅有英特尔(Intel)与NEC已宣布可出货采用High-K材料的逻辑组件;前者是采用45纳米制程的High-K金属栅极处理器，后者的产品则是采用55纳米制程的ASIC。