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TriQuint发布宽带基站低噪声放大器 具有灵活性,无需匹配

时间:07-28 来源:mwrf 点击:

全球射频产品的领导厂商和晶圆代工服务的重要供应商TriQuint半导体公司(纳斯达克:TQNT)近日宣布,TriQuint最新创新低噪声放大器(LNA)解决方案采用了集成装配技术,从而减少了物料清单数量。这些宽频带器件还可以满意3G/4G基站和国防/航空航天应用的关键线性需求。TriQuint最新低噪声放大器产品提供了一个宽范围的增益操作,从而实现频率覆盖高达4GHz。这些产品完全匹配(50Ω),采用3V- 5V供电,无条件稳定。TriQuint副总裁Brian P. Balut 说:"消费者对智能手机和平板电脑的需求意味着更宽的网络带宽和在射频链中更高的线性度。我们正在为消费者提供基于TriQuint无与伦比的技术组合和全球射频经验的集成解决方案。"

TQP3M9005 新型高效低噪声放大器 集成匹配元件
TriQuint最新TQP3M9005无 需匹配元件,同时可实现高线性信号和在0.3 - 4.0 GHz范围内出色的增益表现。这款低噪声放大器功耗也非常低 – 仅为50 mA(1.9GHz)。TQP3M9005是基站、中继器以及类似应用放大器设计的理想选择。该产品的噪声系数非常低(0.8 dB),1.9GHz下的增益为15 dB,P1dB 射频输出功率为22.3 dBm;OIP3 为 34 dBm。
 
TQP3M9006 完全匹配低噪声放大器提供强大的,线性信号
TriQuint最新TQP3M9006能 够实现宽频带的性能,专为基站、中继器和国防/航空航天应用设计(0.3 - 4.0 GHz)。采用了集成装配技术,从而可以减少物料清单数量。TQP3M9006的噪声系数很低(1.0 dB),1.9GHz下的增益为13.5 dB;P1dB 射频输出功率为22.4 dBm;OIP3 为 38.5 dBm;电流损耗(Idd)为90 mA。
 
TQP3M9007 最新宽带低噪声放大器采用完全匹配技术
最新TQP3M9007是 一款灵活的、完全匹配的低噪声放大器,适用于高性能3G/4G基站(LTE、WCDMA和EDGE放大器),中继器和通用无线应用(0.3 - 4.0 GHz)。TQP3M9007的工作噪声系数很低,为1.3 dB,同时1.9GHz下的增益为13 dB;P1dB射频输出功率为23.6 dBm;OIP3为41 dBm;电流损耗(Idd)为125 mA。
 
TQP3M9028 新型高效低噪声放大器 集成匹配元件
TriQuint发布的最新低噪声增益块无需匹配元件,针对基站收发器、中继器和国防和航空航天应用提供了高线性和在宽带宽范围内实现平坦增益。TQP3M9028具有很低的(2.0 dB)噪声系数,在宽带宽范围内提供平坦增益(±0.2 dB)。该器件P1dB射频输出功率为21 dBm;OIP3为40 dBm;电流损耗(Idd)为85 mA。

关于TriQuint
成立于1985年的TriQuint半导体公司(纳斯达克股票代码:TQNT)是提供世界一级的通信、国防和航空航天公司创新射频解决方案与代工服务的全球领先供应商。世界各地的人们和组织都需要实时、不间断的通信联系;TriQuint产品可帮助降低用于提供关键语音、数据和视频通信的互联移动设备与网络的成本和提高它们的性能。凭借业内最广泛的技术系列、公认的研发领先地位以及在大规模制造领域的专业知识,TriQuint生产基于砷化镓 (GaAs)、氮化钾 (GaN)、声表面波 (SAW) 和声体波 (BAW) 技术的标准及定制产品。该公司在美国拥有多家已通过ISO9001认证的制造工厂,在哥斯达黎加拥有生产中心,在北美地区和德国拥有设计中心。

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